| 产品属性 | 属性值 |
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| 系列 | - |
| Fet类型: | N 通道 |
| 漏源极电压(vdss): | 50V |
| 电流-连续漏极(id): | 200mA(Ta) |
| Vgs(最大值): | ±20V |
| 功率-最大值: | 300mW(Ta) |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
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BSS138-VBVBsemi/微碧SOT23
54746
SOT23;N—Channel沟道,60V;0.25A;RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=1~2.5V;
1Fet类型1:N 通道
2漏源极电压(vdss)2:50V
3电流-连续漏极(id)3:200mA(Ta)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:300mW(Ta)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
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TN5335K1-GMicrochip/微芯TO-236-3,SC-59,SOT-23-35539
MOSFET N-CH 350V 0.11A SOT23-3
1Fet类型1:N 通道
2漏源极电压(vdss)2:50V
3电流-连续漏极(id)3:200mA(Ta)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:300mW(Ta)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
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TP5335K1-GMicrochip/微芯TO-236-3,SC-59,SOT-23-35751
MOSFET P-CH 350V 0.085A SOT23-3
1Fet类型1:N 通道
2漏源极电压(vdss)2:50V
3电流-连续漏极(id)3:200mA(Ta)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:300mW(Ta)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
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BSS84TCDIODES/美台TO-236-3,SC-59,SOT-23-310547
MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT23-3
1Fet类型1:N 通道
2漏源极电压(vdss)2:50V
3电流-连续漏极(id)3:200mA(Ta)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:300mW(Ta)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
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VN10LFTCDIODES/美台TO-236-3,SC-59,SOT-23-310548
MOSFET N-CH 60V 0.15A SOT23-3
1Fet类型1:N 通道
2漏源极电压(vdss)2:50V
3电流-连续漏极(id)3:200mA(Ta)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:300mW(Ta)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
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ZVN3306FTCDIODES/美台TO-236-3,SC-59,SOT-23-310584
MOSFET N-CH 60V 0.15A SOT23-3
1Fet类型1:N 通道
2漏源极电压(vdss)2:50V
3电流-连续漏极(id)3:200mA(Ta)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:300mW(Ta)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
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