| 产品属性 | 属性值 |
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| 系列 | - |
| Fet类型: | N 通道 |
| 漏源极电压(vdss): | 60V |
| 电流-连续漏极(id): | 115mA(Ta) |
| Vgs(最大值): | ±20V |
| 功率-最大值: | 150mW(Ta) |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
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2N7002T.-VBVBsemi/微碧SC75-3
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SC75-3;N—Channel沟道,60V;0.33A;RDS(ON)=1200mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=1~2.5V;
1Fet类型1:N 通道
2漏源极电压(vdss)2:60V
3电流-连续漏极(id)3:115mA(Ta)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:150mW(Ta)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
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DMG1012T-7DIODES/美台SOT-523172
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
1Fet类型1:N 通道
2漏源极电压(vdss)2:60V
3电流-连续漏极(id)3:115mA(Ta)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:150mW(Ta)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
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DMG1013T-7DIODES/美台SOT-523175
MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523
1Fet类型1:N 通道
2漏源极电压(vdss)2:60V
3电流-连续漏极(id)3:115mA(Ta)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:150mW(Ta)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
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DMN601TK-7DIODES/美台SOT-523364
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523
1Fet类型1:N 通道
2漏源极电压(vdss)2:60V
3电流-连续漏极(id)3:115mA(Ta)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:150mW(Ta)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
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DMN33D8LT-13DIODES/美台SOT-5236349
MOSFET N-CH 30V 0.115A
1Fet类型1:N 通道
2漏源极电压(vdss)2:60V
3电流-连续漏极(id)3:115mA(Ta)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:150mW(Ta)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
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DMG1012TQ-7DIODES/美台SOT-5236378
MOSFET NCH 20V 630MA SOT523
1Fet类型1:N 通道
2漏源极电压(vdss)2:60V
3电流-连续漏极(id)3:115mA(Ta)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:150mW(Ta)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
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