| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 系列 | HEXFET® |
| Fet类型: | N 通道 |
| 漏源极电压(vdss): | 55V |
| 电流-连续漏极(id): | 47A(Tc) |
| Vgs(最大值): | ±16V |
| 功率-最大值: | 3.8W(Ta),110W(Tc) |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
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1Fet类型1:N 通道
2漏源极电压(vdss)2:55V
3电流-连续漏极(id)3:47A(Tc)
4Vgs(最大值)4:±16V
5功率-最大值:3.8W(Ta),110W(Tc)
6工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
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3电流-连续漏极(id)3:47A(Tc)
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3电流-连续漏极(id)3:47A(Tc)
4Vgs(最大值)4:±16V
5功率-最大值:3.8W(Ta),110W(Tc)
6工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
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STP80PF55ST/意法半导体TO-220AB75
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1Fet类型1:N 通道
2漏源极电压(vdss)2:55V
3电流-连续漏极(id)3:47A(Tc)
4Vgs(最大值)4:±16V
5功率-最大值:3.8W(Ta),110W(Tc)
6工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
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2漏源极电压(vdss)2:55V
3电流-连续漏极(id)3:47A(Tc)
4Vgs(最大值)4:±16V
5功率-最大值:3.8W(Ta),110W(Tc)
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2漏源极电压(vdss)2:55V
3电流-连续漏极(id)3:47A(Tc)
4Vgs(最大值)4:±16V
5功率-最大值:3.8W(Ta),110W(Tc)
6工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
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