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SI2365EDS-T1-GE3

复制状态：在售

制造商编号：SI2365EDS-T1-GE3复制

制造商名称：Vishay/威世复制

制造商封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

商品类别：单通道MOS管

商品编号：1039-29625

商品描述：MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236

包装数量：3000

包装规格：

购买数量：

小计：￥ 0.00

产品属性	属性值
SELECT COLUMN_NAME as bt,column_comment as nr,SUBSTRING(COLUMN_COMMENT,2,1) as zss_px FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_COMMENT like '*%' ORDER by zss_px	系列	TrenchFET®
Fet类型:	P 通道
漏源极电压(vdss):	20V
电流-连续漏极(id):	5.9A（Tc）
Vgs(最大值):	±8V
功率-最大值:	1W（Ta），1.7W（Tc）
工作温度:	-55°C ~ 150°C（TJ）

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