温馨提示:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFA30N25X3

复制 状态: 在售

制造商编号:IXFA30N25X3复制

制造商名称:IXYS/艾赛斯复制

制造商封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

商品类别:单通道MOS管

商品编号:1039-47975

商品描述:MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO263

包装数量:

包装规格:

购买数量:
小计: 0.00
  • 现货订购: 0pcs
  • 自营库存:0pcs
  • 国内库存:-
  • 厂家库存:-
  • 海外库存:-可咨询
  •  
  • 最新起订量:-
  • 增          量:1

价格(含税)

参考价格:0.000000
详细参数
产品属性 属性值
SELECT COLUMN_NAME as bt,column_comment as nr,SUBSTRING(COLUMN_COMMENT,2,1) as zss_px FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_COMMENT like '*%' ORDER by zss_px 系列 HiPerFET™
Fet类型: N 通道
漏源极电压(vdss): 250V
电流-连续漏极(id): 30A(Tc)
Vgs(最大值): ±20V
功率-最大值: 176W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
同类热销产品
IXFA38N30X3IXYS/艾赛斯TO-26347969
FET N-CHANNEL
1Fet类型1: 2漏源极电压(vdss)2: 3电流-连续漏极(id)3: 4Vgs(最大值)4: 5功率-最大值: 6工作温度:
IXFA220N06T3IXYS/艾赛斯TO-26348755
60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
1Fet类型1: 2漏源极电压(vdss)2: 3电流-连续漏极(id)3: 4Vgs(最大值)4: 5功率-最大值: 6工作温度:
IXTA260N055T2IXYS/艾赛斯TO-26348776
MOSFET N-CH
1Fet类型1: 2漏源极电压(vdss)2: 3电流-连续漏极(id)3: 4Vgs(最大值)4: 5功率-最大值: 6工作温度:
IXFA3N120-TRLIXYS/艾赛斯TO-26348794
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
1Fet类型1: 2漏源极电压(vdss)2: 3电流-连续漏极(id)3: 4Vgs(最大值)4: 5功率-最大值: 6工作温度:
复制成功
复制成功
销售在线 销售在线 工程师在线 工程师在线 电话咨询

销售在线

刘s:2355289363

手机: 15074164838

销售在线

陈s:2355289368

手机: 13510573285

工程师在线

吴工:2355289360

手机: 13824329149

工程师在线

陈工:2355289365

手机: 15818753382

电话咨询

0755-28435922