IRFHM8363TRPBF

1Fet类型1：2 N-通道（双） 5Fet功能5：逻辑电平门 2漏源极电压(vdss)2：30V 3电流-连续漏极(id)3：11A 4最大功率值4：2.7W 6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）

FDPC8011SONSEMI/安森美8-PQFN（3.3X3.3），POWER33194

MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN

1Fet类型1：2 N-通道（双） 5Fet功能5：逻辑电平门 2漏源极电压(vdss)2：30V 3电流-连续漏极(id)3：11A 4最大功率值4：2.7W 6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）

FDPC8012SONSEMI/安森美8-PQFN（3.3X3.3），POWER33402

MOSFET 2N-CH 25V 13A/26A PWR CLP

1Fet类型1：2 N-通道（双） 5Fet功能5：逻辑电平门 2漏源极电压(vdss)2：30V 3电流-连续漏极(id)3：11A 4最大功率值4：2.7W 6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）

FDPC8013SONSEMI/安森美8-PQFN（3.3X3.3），POWER33926

MOSFET 2N-CH 30V 13A/26A 3.3MM

1Fet类型1：2 N-通道（双） 5Fet功能5：逻辑电平门 2漏源极电压(vdss)2：30V 3电流-连续漏极(id)3：11A 4最大功率值4：2.7W 6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）

IRFHM792TRPBFInfineon/英飞凌8-PQFN（3.3X3.3），POWER332032

MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN

1Fet类型1：2 N-通道（双） 5Fet功能5：逻辑电平门 2漏源极电压(vdss)2：30V 3电流-连续漏极(id)3：11A 4最大功率值4：2.7W 6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）

IRFHM792TR2PBFInfineon/英飞凌8-PQFN（3.3X3.3），POWER333061

MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN

1Fet类型1：2 N-通道（双） 5Fet功能5：逻辑电平门 2漏源极电压(vdss)2：30V 3电流-连续漏极(id)3：11A 4最大功率值4：2.7W 6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）