| 产品属性 | 属性值 |
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| 系列 | - |
| Fet类型: | N 和 P 沟道 |
| 漏源极电压(vdss): | 20V |
| 电流-连续漏极(id): | 900mA,600mA |
| 最大功率值: | 300mW |
| Fet功能: | 逻辑电平门 |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
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SC70-6;N+P—Channel沟道,±20V;3.28/-2.8A;RDS(ON)=90/155mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V;Vth=±0.45~1V;
1Fet类型1:N 和 P 沟道
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:900mA,600mA
4最大功率值4:300mW
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
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FDG6303NONSEMI/安森美SC-70-613
MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88
1Fet类型1:N 和 P 沟道
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:900mA,600mA
4最大功率值4:300mW
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
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2N7002DWONSEMI/安森美SC-70-614
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6
1Fet类型1:N 和 P 沟道
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:900mA,600mA
4最大功率值4:300mW
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
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FDG6320CONSEMI/安森美SC-70-636
MOSFET N/P-CH 25V 220/140MA SC88
1Fet类型1:N 和 P 沟道
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:900mA,600mA
4最大功率值4:300mW
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
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FDG6322CONSEMI/安森美SC-70-649
MOSFET N/P-CH 25V SC70-6
1Fet类型1:N 和 P 沟道
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:900mA,600mA
4最大功率值4:300mW
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
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FDG6306PONSEMI/安森美SC-70-653
MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
1Fet类型1:N 和 P 沟道
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:900mA,600mA
4最大功率值4:300mW
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
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