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SSM6L35FU-VBVBsemi/微碧SC70-6
6049
SC70-6；N+P—Channel沟道,±20V；3.28/-2.8A；RDS(ON)=90/155mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=±0.45~1V；
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平栅极，1.2V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：180mA，100mA
4最大功率值4：200mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
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SSM6N7002KFU,LFTOSHIBA/东芝US6413
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A
1Fet类型1：N 和 P 沟道
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4最大功率值4：200mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
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SSM6N7002CFU,LFTOSHIBA/东芝US6415
MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平栅极，1.2V 驱动
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4最大功率值4：200mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
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SSM6N16FUTE85LFTOSHIBA/东芝US6416
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平栅极，1.2V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：20V
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4最大功率值4：200mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
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SSM6L09FUTE85LFTOSHIBA/东芝US6425
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平栅极，1.2V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：180mA，100mA
4最大功率值4：200mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
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SSM6N15AFU,LFTOSHIBA/东芝US6428
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平栅极，1.2V 驱动
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4最大功率值4：200mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
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SSM6N7002BFU,LFTOSHIBA/东芝US6652
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平栅极，1.2V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：180mA，100mA
4最大功率值4：200mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
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SSM6N43FU,LFTOSHIBA/东芝US6665
MOSFET 2N-CH 20V 0.5A US6
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平栅极，1.2V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：180mA，100mA
4最大功率值4：200mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
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SSM6N7002BFU(T5L,FTOSHIBA/东芝US62574
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
1Fet类型1：N 和 P 沟道
5Fet功能5：逻辑电平栅极，1.2V 驱动
2漏源极电压(vdss)2：20V
3电流-连续漏极(id)3：180mA，100mA
4最大功率值4：200mW
6工作温度6：-55°C ~ 150°C（TJ）
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