| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 系列 | - |
| Fet类型: | N 沟道 |
| 电压-击穿(v(br)gss): | 30V |
| 漏源极电压(vdss): | 30V |
| 不同vds时电流-漏极(idss): | 1.2mA @ 10V |
| 电阻-rds(开): | - |
| 最大功率 值: | 100mW |
| 工作温度: | 150°C(TJ) |
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TF414T5GONSEMI/安森美SOT-883(XDFN3)(1X0.6)234
IC JFET N-CH 40V XDFN3
1Fet类型1:
2电压-击穿(v(br)gss):
2漏源极电压(vdss):
3不同vds时电流-漏极(idss):
4电阻-rds(开):
5最大功率 值:
6工作温度:
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