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2N7002E,215数据手册

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
国产替代
封装:TO-236AB
包装:
类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单
资料:PDF
SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`purchase_price`,`selling_price`,`gm_gys_id`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N7002E-VB' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) LIMIT 1
+:0.159000
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N7002E-VB' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:10K+
订货:
24小时发货
1~2周可到达
状态: 在售
型号: 2N7002E,215复制
品牌: Nexperia USA Inc.复制 Nexperia 安世半导体
描述: MOSFET N-CH 60V 0.385A SOT23
封装:TO-236AB 外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
fet 类型:N 通道
漏源极电压(vdss):60V
电流 - 连续漏极(id):385mA(Ta)
Vgs(最大值):±30V
fet 功能:-
功率 - 最大值:830mW(Ta)
select action_name,tags from golon_ics_category where mpn_bm='golon_jtg_fet_mosfet_d'
丝印:(请登录)
料号:JTG8-4308
包装:
现货:有货
最小起订:
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SELECT `gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N7002E,215' ) AND ( a.sprice_1 > 0 ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') OR (`Gsxx_sx` = '授权代理商') ) LIMIT 1
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