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元器件型号：6417 件
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制造商封装

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驱动配置

通道类型

驱动器数

栅极类型

电压 - 电源

逻辑电压 

电流 - 峰值输出（灌入，拉出）

输入类型

高压侧电压 - 最大值（自举）

上升/下降时间（典型值）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 停产
型号： ISL6608CBZ
品牌： Renesas Electronics America Inc
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:22 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.5V ~ 5.5V
输入类型：非反相
外壳：8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）
封装：8-SOIC
料号：P4-1
包装： 980个/ 管件
10+:￥23.4840
50+:￥22.5055
100+:￥20.9399
980+:￥20.8421
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6608CBZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas Electronics America Inc' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6608CBZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6608CBZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6608CBZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 最后售卖
型号： ISL6609ACBZ
品牌： Renesas Electronics America Inc
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:22 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.5V ~ 5.5V
输入类型：非反相
外壳：8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）
封装：8-SOIC
料号：P4-2
包装： 980个/ 管件
10+:￥23.4840
50+:￥22.5055
100+:￥20.9399
980+:￥20.8421
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6609ACBZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas Electronics America Inc' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6609ACBZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6609ACBZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6609ACBZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： ISL6612EIBZ
品牌： Renesas Electronics America Inc
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:22 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10.8V ~ 13.2V
输入类型：非反相
外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
封装：8-SOIC-EP
料号：P4-3
包装： 980个/ 管件
10+:￥23.4840
50+:￥22.5055
100+:￥20.9399
980+:￥20.8421
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6612EIBZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas Electronics America Inc' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6612EIBZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6612EIBZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6612EIBZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： ISL6611ACRZ-T
品牌： Renesas Electronics America Inc
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:22 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：4
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.5V ~ 5.5V
输入类型：非反相
外壳：16-VQFN 裸露焊盘
封装：16-QFN（4x4）
料号：P4-4
包装： 6000个/ 卷带（TR）
10+:￥23.4840
1500+:￥22.5055
3000+:￥20.9399
6000+:￥20.8421
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6611ACRZ-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas Electronics America Inc' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6611ACRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6611ACRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6611ACRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： ISL89165FBEAZ
品牌： Renesas Electronics America Inc
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:22 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :1.22V，2.08V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:6A，6A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
驱动配置：低端
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.5V ~ 16V
输入类型：反相，非反相
外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
封装：8-SOIC-EP
料号：P4-5
包装： 980个/ 管件
10+:￥23.4840
50+:￥22.5055
100+:￥20.9399
980+:￥20.8421
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL89165FBEAZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas Electronics America Inc' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL89165FBEAZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL89165FBEAZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL89165FBEAZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： EL7457CLZ-T13
品牌： Renesas Electronics America Inc
描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16QFN
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:22 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :1.22V，2.08V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:6A，6A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型
驱动配置：高压侧或低压侧
通道类型：独立式
驱动器数：4
栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.5V ~ 18V
输入类型：非反相
外壳：16-VQFN 裸露焊盘
封装：16-QFN（4x4）
料号：P4-6
包装： 2500个/ 卷带（TR）
10+:￥23.4840
625+:￥22.5055
1250+:￥20.9399
2500+:￥20.8421
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EL7457CLZ-T13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas Electronics America Inc' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7457CLZ-T13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7457CLZ-T13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7457CLZ-T13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： EL7457CUZ-T13
品牌： Renesas Electronics America Inc
描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16QSOP
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:22 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :1.22V，2.08V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:6A，6A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型
驱动配置：高压侧或低压侧
通道类型：独立式
驱动器数：4
栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.5V ~ 18V
输入类型：非反相
外壳：16-SSOP（0.154"，3.90mm 宽）
封装：16-QSOP
料号：P4-7
包装： 2500个/ 卷带（TR）
10+:￥23.4840
625+:￥22.5055
1250+:￥20.9399
2500+:￥20.8421
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EL7457CUZ-T13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas Electronics America Inc' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7457CUZ-T13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7457CUZ-T13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7457CUZ-T13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： EL7457CSZ-T13
品牌： Renesas Electronics America Inc
描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:22 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :1.22V，2.08V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:6A，6A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型
驱动配置：高压侧或低压侧
通道类型：独立式
驱动器数：4
栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.5V ~ 18V
输入类型：非反相
外壳：16-SOIC（3.90MM 宽）
封装：16-SOIC
料号：P4-8
包装： 2500个/ 卷带（TR）
10+:￥23.4840
625+:￥22.5055
1250+:￥20.9399
2500+:￥20.8421
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EL7457CSZ-T13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas Electronics America Inc' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7457CSZ-T13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7457CSZ-T13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7457CSZ-T13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： HIP4083ABZT
品牌： Renesas Electronics America Inc
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOIC
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:22 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :1.22V，2.08V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:6A，6A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:3 相 *驱动器数:3 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:7V ~ 15V 逻辑电压 :1V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:35ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
驱动配置：高端
通道类型：3 相
驱动器数：3
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：7V ~ 15V
输入类型：反相
外壳：16-SOIC（3.90MM 宽）
封装：16-SOIC
料号：P4-9
包装： 2500个/ 卷带（TR）
10+:￥23.4840
625+:￥22.5055
1250+:￥20.9399
2500+:￥20.8421
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HIP4083ABZT' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas Electronics America Inc' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP4083ABZT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP4083ABZT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP4083ABZT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： ISL83204AIBZT
品牌： Renesas Electronics America Inc
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 20SOIC
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:22 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :1.22V，2.08V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:6A，6A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:3 相 *驱动器数:3 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:7V ~ 15V 逻辑电压 :1V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:35ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9.5V ~ 15V 逻辑电压 :1V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.6A，2.4A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:75 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：4
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：9.5V ~ 15V
输入类型：反相，非反相
外壳：20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
封装：20-SOIC
料号：P4-10
包装： 1000个/ 卷带（TR）
10+:￥23.4840
250+:￥22.5055
500+:￥20.9399
1000+:￥20.8421
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL83204AIBZT' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas Electronics America Inc' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL83204AIBZT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL83204AIBZT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL83204AIBZT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： ISL6620CRZ
品牌： Renesas Electronics America Inc
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:22 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :1.22V，2.08V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:6A，6A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:3 相 *驱动器数:3 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:7V ~ 15V 逻辑电压 :1V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:35ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9.5V ~ 15V 逻辑电压 :1V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.6A，2.4A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:75 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.5V ~ 5.5V
输入类型：非反相
外壳：10-VFDFN 裸露焊盘
封装：10-DFN（3x3）
料号：P4-11
包装： 100个/ 管件
10+:￥23.4840
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6620CRZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas Electronics America Inc' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： ISL2111AR4Z
品牌： Renesas Electronics America Inc
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DFN
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:22 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :1.22V，2.08V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:6A，6A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:3 相 *驱动器数:3 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:7V ~ 15V 逻辑电压 :1V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:35ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9.5V ~ 15V 逻辑电压 :1V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.6A，2.4A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:75 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：8V ~ 14V
输入类型：非反相
外壳：12-VFDFN 裸露焊盘
封装：12-DFN（4x4）
料号：P4-12
包装： 750个/ 管件
10+:￥23.4840
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL2111AR4Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL2111AR4Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL2111AR4Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： ISL2111BR4Z
品牌： Renesas Electronics America Inc
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:22 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :1.22V，2.08V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:6A，6A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:3 相 *驱动器数:3 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:7V ~ 15V 逻辑电压 :1V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:35ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9.5V ~ 15V 逻辑电压 :1V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.6A，2.4A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:75 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：8V ~ 14V
输入类型：非反相
外壳：8-VDFN 裸露焊盘
封装：8-DFN（4x4）
料号：P4-13
包装： 750个/ 管件
10+:￥23.4840
50+:￥22.5055
100+:￥20.9399
750+:￥20.8421
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL2111BR4Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas Electronics America Inc' ) LIMIT 1 自营现货:0
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状态： 在售
型号： ISL2110AR4Z
品牌： Renesas Electronics America Inc
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DFN
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:22 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :1.22V，2.08V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:6A，6A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:3 相 *驱动器数:3 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:7V ~ 15V 逻辑电压 :1V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:35ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9.5V ~ 15V 逻辑电压 :1V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.6A，2.4A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:75 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :3.7V，7.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：8V ~ 14V
输入类型：非反相
外壳：12-VFDFN 裸露焊盘
封装：12-DFN（4x4）
料号：P4-14
包装： 750个/ 管件
10+:￥23.4840
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL2110AR4Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas Electronics America Inc' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL2110AR4Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL2110AR4Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL2110AR4Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： ISL6622IBZ
品牌： Renesas Electronics America Inc
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:22 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :1.22V，2.08V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:6A，6A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:3 相 *驱动器数:3 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:7V ~ 15V 逻辑电压 :1V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:35ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9.5V ~ 15V 逻辑电压 :1V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.6A，2.4A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:75 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :3.7V，7.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:6.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：6.8V ~ 13.2V
输入类型：非反相
外壳：8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）
封装：8-SOIC
料号：P4-15
包装： 980个/ 管件
10+:￥23.4840
50+:￥22.5055
100+:￥20.9399
980+:￥20.8421
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6622IBZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas Electronics America Inc' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6622IBZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6622IBZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6622IBZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： ISL6614ACRZ-T
品牌： Renesas Electronics America Inc
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:22 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :1.22V，2.08V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:6A，6A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:3 相 *驱动器数:3 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:7V ~ 15V 逻辑电压 :1V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:35ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9.5V ~ 15V 逻辑电压 :1V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.6A，2.4A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:75 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :3.7V，7.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:6.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：4
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10.8V ~ 13.2V
输入类型：非反相
外壳：16-VQFN 裸露焊盘
封装：16-QFN（4x4）
料号：P4-16
包装： 6000个/ 卷带（TR）
10+:￥23.4840
1500+:￥22.5055
3000+:￥20.9399
6000+:￥20.8421
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6614ACRZ-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas Electronics America Inc' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6614ACRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6614ACRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6614ACRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 停产
型号： ISL6614CRZ-T
品牌： Renesas Electronics America Inc
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:22 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :1.22V，2.08V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:6A，6A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:3 相 *驱动器数:3 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:7V ~ 15V 逻辑电压 :1V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:35ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9.5V ~ 15V 逻辑电压 :1V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.6A，2.4A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:75 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :3.7V，7.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:6.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：4
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10.8V ~ 13.2V
输入类型：非反相
外壳：16-VQFN 裸露焊盘
封装：16-QFN（4x4）
料号：P4-17
包装： 6000个/ 卷带（TR）
10+:￥23.4840
1500+:￥22.5055
3000+:￥20.9399
6000+:￥20.8421
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6614CRZ-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas Electronics America Inc' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6614CRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6614CRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6614CRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： EL7154CSZ-T13
品牌： Renesas Electronics America Inc
描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:22 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :1.22V，2.08V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:6A，6A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:3 相 *驱动器数:3 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:7V ~ 15V 逻辑电压 :1V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:35ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9.5V ~ 15V 逻辑电压 :1V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.6A，2.4A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:75 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :3.7V，7.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:6.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :0.6V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
驱动配置：高压侧或低压侧
通道类型：同步
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.5V ~ 16V
输入类型：非反相
外壳：8-SOIC（宽3.9MM间距1.27MM）
封装：8-SOIC
料号：P4-18
包装： 2500个/ 卷带（TR）
10+:￥23.4840
625+:￥22.5055
1250+:￥20.9399
2500+:￥20.8421
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EL7154CSZ-T13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas Electronics America Inc' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7154CSZ-T13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7154CSZ-T13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7154CSZ-T13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： EL7202CN
品牌： Renesas Electronics America Inc
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:22 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :1.22V，2.08V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:6A，6A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:3 相 *驱动器数:3 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:7V ~ 15V 逻辑电压 :1V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:35ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9.5V ~ 15V 逻辑电压 :1V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.6A，2.4A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:75 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :3.7V，7.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:6.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :0.6V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:7.5ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:通孔
驱动配置：低端
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.5V ~ 15V
输入类型：非反相
外壳：8-DIP（宽7.62MM 间距2.54MM）
封装：8-PDIP
料号：P4-19
包装： 50个/ 管件
10+:￥23.4840
50+:￥22.5055
100+:￥20.9399
50+:￥20.8421
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EL7202CN' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas Electronics America Inc' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7202CN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7202CN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7202CN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： ISL6611ACRZ
品牌： Renesas Electronics America Inc
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:22 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :1.22V，2.08V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:6A，6A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:3 相 *驱动器数:3 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:7V ~ 15V 逻辑电压 :1V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:35ns，30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9.5V ~ 15V 逻辑电压 :1V，2.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.6A，2.4A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:75 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :3.7V，7.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:6.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.25A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :0.6V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:7.5ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:通孔 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：4
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.5V ~ 5.5V
输入类型：非反相
外壳：16-VQFN 裸露焊盘
封装：16-QFN（4x4）
料号：P4-20
包装： 75个/ 管件
10+:￥23.4840
50+:￥22.5055
100+:￥20.9399
75+:￥20.8421
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6611ACRZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas Electronics America Inc' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6611ACRZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6611ACRZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6611ACRZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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