元器件型号:6417
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驱动配置

通道类型

驱动器数

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电压 - 电源

逻辑电压 

电流 - 峰值输出(灌入,拉出)

输入类型

高压侧电压 - 最大值(自举)

上升/下降时间(典型值)

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ISL6608CBZ

型号: ISL6608CBZ

品牌: Renesas Electronics America Inc

封装:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM)

描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

参数:*驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型

库存: 咨询

货期:

包装:管件

批次:

SPQ:980

10:23.4840
50:22.5055
100:20.9399

ISL6609ACBZ

型号: ISL6609ACBZ

品牌: Renesas Electronics America Inc

封装:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM)

描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

参数:*驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型

库存: 咨询

货期:

包装:管件

批次:

SPQ:980

10:23.4840
50:22.5055
100:20.9399

ISL6612EIBZ

型号: ISL6612EIBZ

品牌: Renesas Electronics America Inc

封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘

描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

参数:*驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型

库存: 咨询

货期:

包装:管件

批次:

SPQ:980

ISL6611ACRZ-T

型号: ISL6611ACRZ-T

品牌: Renesas Electronics America Inc

封装:16-VQFN 裸露焊盘

描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN

参数:*驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型

库存: 咨询

货期:

包装:卷带(TR)

批次:

SPQ:6000

10:24.2280
1500:23.2185
3000:21.6033
6000:21.4014

ISL89165FBEAZ

型号: ISL89165FBEAZ

品牌: Renesas Electronics America Inc

封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘

描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

参数:*驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :1.22V,2.08V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):6A,6A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型

库存: 咨询

货期:

包装:管件

批次:

SPQ:980

10:25.4640
50:24.4030
100:22.7054

EL7457CLZ-T13

型号: EL7457CLZ-T13

品牌: Renesas Electronics America Inc

封装:16-VQFN 裸露焊盘

描述:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16QFN

参数:*驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :1.22V,2.08V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):6A,6A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型

库存: 咨询

货期:

包装:卷带(TR)

批次:

SPQ:2500

10:24.7440
625:23.7130
1250:22.0634
2500:21.8572

EL7457CUZ-T13

型号: EL7457CUZ-T13

品牌: Renesas Electronics America Inc

封装:16-SSOP(0.154",3.90mm 宽)

描述:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16QSOP

参数:*驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :1.22V,2.08V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):6A,6A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型

库存: 咨询

货期:

包装:卷带(TR)

批次:

SPQ:2500

10:24.7440
625:23.7130
1250:22.0634
2500:21.8572

EL7457CSZ-T13

型号: EL7457CSZ-T13

品牌: Renesas Electronics America Inc

封装:16-SOIC(3.90MM 宽)

描述:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC

参数:*驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :1.22V,2.08V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):6A,6A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型

库存: 咨询

货期:

包装:卷带(TR)

批次:

SPQ:2500

10:26.0640
625:24.9780
1250:23.2404
2500:23.0232

HIP4083ABZT

型号: HIP4083ABZT

品牌: Renesas Electronics America Inc

封装:16-SOIC(3.90MM 宽)

描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOIC

参数:*驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :1.22V,2.08V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):6A,6A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:3 相 *驱动器数:3 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:7V ~ 15V 逻辑电压 :1V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):95 V 上升/下降时间(典型值):35ns,30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型

库存: 咨询

货期:

包装:卷带(TR)

批次:

SPQ:2500

10:26.4600
625:25.3575
1250:23.5935
2500:23.3730

ISL83204AIBZT

型号: ISL83204AIBZT

品牌: Renesas Electronics America Inc

封装:20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)

描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 20SOIC

参数:*驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :1.22V,2.08V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):6A,6A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:3 相 *驱动器数:3 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:7V ~ 15V 逻辑电压 :1V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):95 V 上升/下降时间(典型值):35ns,30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9.5V ~ 15V 逻辑电压 :1V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2.6A,2.4A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):75 V 上升/下降时间(典型值):10ns,10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型

库存: 咨询

货期:

包装:卷带(TR)

批次:

SPQ:1000

ISL6620CRZ

型号: ISL6620CRZ

品牌: Renesas Electronics America Inc

封装:10-VFDFN 裸露焊盘

描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN

参数:*驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :1.22V,2.08V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):6A,6A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:3 相 *驱动器数:3 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:7V ~ 15V 逻辑电压 :1V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):95 V 上升/下降时间(典型值):35ns,30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9.5V ~ 15V 逻辑电压 :1V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2.6A,2.4A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):75 V 上升/下降时间(典型值):10ns,10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型

库存: 咨询

货期:

包装:管件

批次:

SPQ:100

10:27.9120
50:26.7490
100:24.8882

ISL2111AR4Z

型号: ISL2111AR4Z

品牌: Renesas Electronics America Inc

封装:12-VFDFN 裸露焊盘

描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DFN

参数:*驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :1.22V,2.08V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):6A,6A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:3 相 *驱动器数:3 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:7V ~ 15V 逻辑电压 :1V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):95 V 上升/下降时间(典型值):35ns,30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9.5V ~ 15V 逻辑电压 :1V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2.6A,2.4A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):75 V 上升/下降时间(典型值):10ns,10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V,2.2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型

库存: 咨询

货期:

包装:管件

批次:

SPQ:750

10:28.9440
50:27.7380
100:25.8084

ISL2111BR4Z

型号: ISL2111BR4Z

品牌: Renesas Electronics America Inc

封装:8-VDFN 裸露焊盘

描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN

参数:*驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :1.22V,2.08V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):6A,6A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:3 相 *驱动器数:3 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:7V ~ 15V 逻辑电压 :1V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):95 V 上升/下降时间(典型值):35ns,30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9.5V ~ 15V 逻辑电压 :1V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2.6A,2.4A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):75 V 上升/下降时间(典型值):10ns,10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V,2.2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V,2.2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型

库存: 咨询

货期:

包装:管件

批次:

SPQ:750

10:28.9440
50:27.7380
100:25.8084

ISL2110AR4Z

型号: ISL2110AR4Z

品牌: Renesas Electronics America Inc

封装:12-VFDFN 裸露焊盘

描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DFN

参数:*驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :1.22V,2.08V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):6A,6A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:3 相 *驱动器数:3 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:7V ~ 15V 逻辑电压 :1V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):95 V 上升/下降时间(典型值):35ns,30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9.5V ~ 15V 逻辑电压 :1V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2.6A,2.4A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):75 V 上升/下降时间(典型值):10ns,10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V,2.2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V,2.2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :3.7V,7.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型

库存: 咨询

货期:

包装:管件

批次:

SPQ:750

10:29.9280
50:28.6810
100:26.6858

ISL6622IBZ

型号: ISL6622IBZ

品牌: Renesas Electronics America Inc

封装:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM)

描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

参数:*驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :1.22V,2.08V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):6A,6A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:3 相 *驱动器数:3 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:7V ~ 15V 逻辑电压 :1V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):95 V 上升/下降时间(典型值):35ns,30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9.5V ~ 15V 逻辑电压 :1V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2.6A,2.4A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):75 V 上升/下降时间(典型值):10ns,10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V,2.2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V,2.2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :3.7V,7.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:6.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型

库存: 咨询

货期:

包装:管件

批次:

SPQ:980

10:28.7760
50:27.5770
100:25.6586

ISL6614ACRZ-T

型号: ISL6614ACRZ-T

品牌: Renesas Electronics America Inc

封装:16-VQFN 裸露焊盘

描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN

参数:*驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :1.22V,2.08V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):6A,6A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:3 相 *驱动器数:3 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:7V ~ 15V 逻辑电压 :1V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):95 V 上升/下降时间(典型值):35ns,30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9.5V ~ 15V 逻辑电压 :1V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2.6A,2.4A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):75 V 上升/下降时间(典型值):10ns,10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V,2.2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V,2.2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :3.7V,7.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:6.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型

库存: 咨询

货期:

包装:卷带(TR)

批次:

SPQ:6000

10:30.1320
1500:28.8765
3000:26.8677
6000:26.6166

ISL6614CRZ-T

型号: ISL6614CRZ-T

品牌: Renesas Electronics America Inc

封装:16-VQFN 裸露焊盘

描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN

参数:*驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :1.22V,2.08V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):6A,6A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:3 相 *驱动器数:3 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:7V ~ 15V 逻辑电压 :1V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):95 V 上升/下降时间(典型值):35ns,30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9.5V ~ 15V 逻辑电压 :1V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2.6A,2.4A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):75 V 上升/下降时间(典型值):10ns,10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V,2.2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V,2.2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :3.7V,7.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:6.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型

库存: 咨询

货期:

包装:卷带(TR)

批次:

SPQ:6000

10:30.1320
1500:28.8765
3000:26.8677
6000:26.6166

EL7154CSZ-T13

型号: EL7154CSZ-T13

品牌: Renesas Electronics America Inc

封装:8-SOIC(宽3.9MM间距1.27MM)

描述:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

参数:*驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :1.22V,2.08V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):6A,6A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:3 相 *驱动器数:3 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:7V ~ 15V 逻辑电压 :1V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):95 V 上升/下降时间(典型值):35ns,30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9.5V ~ 15V 逻辑电压 :1V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2.6A,2.4A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):75 V 上升/下降时间(典型值):10ns,10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V,2.2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V,2.2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :3.7V,7.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:6.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :0.6V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):4A,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):4ns,4ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型

库存: 咨询

货期:

包装:卷带(TR)

批次:

SPQ:2500

10:30.6960
625:29.4170
1250:27.3706
2500:27.1148

EL7202CN

型号: EL7202CN

品牌: Renesas Electronics America Inc

封装:8-DIP(宽7.62MM 间距2.54MM)

描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP

参数:*驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :1.22V,2.08V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):6A,6A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:3 相 *驱动器数:3 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:7V ~ 15V 逻辑电压 :1V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):95 V 上升/下降时间(典型值):35ns,30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9.5V ~ 15V 逻辑电压 :1V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2.6A,2.4A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):75 V 上升/下降时间(典型值):10ns,10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V,2.2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V,2.2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :3.7V,7.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:6.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :0.6V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):4A,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):4ns,4ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):7.5ns,10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:通孔

库存: 咨询

货期:

包装:管件

批次:

SPQ:50

ISL6611ACRZ

型号: ISL6611ACRZ

品牌: Renesas Electronics America Inc

封装:16-VQFN 裸露焊盘

描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN

参数:*驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :1V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :1.22V,2.08V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):6A,6A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:3 相 *驱动器数:3 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:7V ~ 15V 逻辑电压 :1V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):- *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):95 V 上升/下降时间(典型值):35ns,30ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9.5V ~ 15V 逻辑电压 :1V,2.5V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2.6A,2.4A *输入类型:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):75 V 上升/下降时间(典型值):10ns,10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V,2.2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :1.4V,2.2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:8V ~ 14V 逻辑电压 :3.7V,7.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:6.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10.8V ~ 13.2V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.25A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高压侧或低压侧 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 16V 逻辑电压 :0.6V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):4A,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):4ns,4ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V,2.4V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):7.5ns,10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:通孔 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 逻辑电压 :0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-,4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 工作温度:0°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型

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