元器件型号:6417
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制造商统称

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制造商统称

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*电压 - 电源

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 停产
型号: ISL6608CBZ
品牌: Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数: 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:同步
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 5.5V
7逻辑电压7:-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:2A,2A
5输入类型5:非反相
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装:8-SOIC
料号:P4-1
包装: 980个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6608CBZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6608CBZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6608CBZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6608CBZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: ISL6609ACBZ
品牌: Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数: 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:同步
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 5.5V
7逻辑电压7:1V,2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:-,4A
5输入类型5:非反相
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装:8-SOIC
料号:P4-2
包装: 980个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6609ACBZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6609ACBZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6609ACBZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6609ACBZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: ISL6612EIBZ
品牌: Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数: 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:同步
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:10.8V ~ 13.2V
7逻辑电压7:-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:1.25A,2A
5输入类型5:非反相
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)裸焊盘
封装:8-SOIC-EP
料号:P4-3
包装: 980个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6612EIBZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6612EIBZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6612EIBZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6612EIBZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 停产
型号: ISL6611ACRZ-T
品牌: Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
参数: 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:同步
3驱动器数3:4
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 5.5V
7逻辑电压7:0.8V,2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:-,4A
5输入类型5:非反相
外壳:16-VQFN 裸露焊盘
封装:16-QFN(4x4)
料号:P4-4
包装: 6000个/ 卷带(TR)
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6611ACRZ-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6611ACRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6611ACRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6611ACRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: ISL89165FBEAZ
品牌: Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数: 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.22V,2.08V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns
1驱动配置1:低端
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 16V
7逻辑电压7:1.22V,2.08V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:6A,6A
5输入类型5:反相,非反相
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)裸焊盘
封装:8-SOIC-EP
料号:P4-5
包装: 980个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL89165FBEAZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL89165FBEAZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL89165FBEAZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL89165FBEAZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: EL7457CLZ-T13
品牌: Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16QFN
参数: 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.22V,2.08V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns
1驱动配置1:高压侧或低压侧
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:4
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 18V
7逻辑电压7:0.8V,2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:2A,2A
5输入类型5:非反相
外壳:16-VQFN 裸露焊盘
封装:16-QFN(4x4)
料号:P4-6
包装: 2500个/ 卷带(TR)
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EL7457CLZ-T13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7457CLZ-T13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7457CLZ-T13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7457CLZ-T13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: EL7457CUZ-T13
品牌: Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16QSOP
参数: 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.22V,2.08V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns
1驱动配置1:高压侧或低压侧
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:4
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 18V
7逻辑电压7:0.8V,2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:2A,2A
5输入类型5:非反相
外壳:16-SSOP(3.90mm宽)
封装:16-QSOP
料号:P4-7
包装: 2500个/ 卷带(TR)
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EL7457CUZ-T13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7457CUZ-T13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7457CUZ-T13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7457CUZ-T13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: EL7457CSZ-T13
品牌: Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC
参数: 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.22V,2.08V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns
1驱动配置1:高压侧或低压侧
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:4
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 18V
7逻辑电压7:0.8V,2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:2A,2A
5输入类型5:非反相
外壳:16-SOIC(3.90mm宽)
封装:16-SOIC
料号:P4-8
包装: 2500个/ 卷带(TR)
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EL7457CSZ-T13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7457CSZ-T13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7457CSZ-T13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7457CSZ-T13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: HIP4083ABZT
品牌: Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOIC
参数: 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.22V,2.08V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):95 V 上升/下降时间(典型值):35ns,30ns
1驱动配置1:高端
2通道类型2:3 相
3驱动器数3:3
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:7V ~ 15V
7逻辑电压7:1V,2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:-
5输入类型5:反相
外壳:16-SOIC(3.90mm宽)
封装:16-SOIC
料号:P4-9
包装: 2500个/ 卷带(TR)
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HIP4083ABZT' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP4083ABZT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP4083ABZT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP4083ABZT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 停产
型号: ISL83204AIBZT
品牌: Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 20SOIC
参数: 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.22V,2.08V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):95 V 上升/下降时间(典型值):35ns,30ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A,2.4A *5输入类型*5:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):75 V 上升/下降时间(典型值):10ns,10ns
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:同步
3驱动器数3:4
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:9.5V ~ 15V
7逻辑电压7:1V,2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:2.6A,2.4A
5输入类型5:反相,非反相
外壳:20-SOIC(7.50mm 宽)
封装:20-SOIC
料号:P4-10
包装: 1000个/ 卷带(TR)
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL83204AIBZT' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号: ISL6620CRZ
品牌: Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
参数: 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.22V,2.08V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):95 V 上升/下降时间(典型值):35ns,30ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A,2.4A *5输入类型*5:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):75 V 上升/下降时间(典型值):10ns,10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:同步
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 5.5V
7逻辑电压7:-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:2A,2A
5输入类型5:非反相
外壳:10-VFDFN 裸露焊盘
封装:10-DFN(3x3)
料号:P4-11
包装: 100个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6620CRZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6620CRZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6620CRZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号: ISL2111AR4Z
品牌: Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DFN
参数: 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.22V,2.08V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):95 V 上升/下降时间(典型值):35ns,30ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A,2.4A *5输入类型*5:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):75 V 上升/下降时间(典型值):10ns,10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:8V ~ 14V
7逻辑电压7:1.4V,2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:3A,4A
5输入类型5:非反相
外壳:12-VFDFN 裸露焊盘
封装:12-DFN(4x4)
料号:P4-12
包装: 750个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL2111AR4Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL2111AR4Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL2111AR4Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL2111AR4Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: ISL2111BR4Z
品牌: Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN
参数: 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.22V,2.08V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):95 V 上升/下降时间(典型值):35ns,30ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A,2.4A *5输入类型*5:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):75 V 上升/下降时间(典型值):10ns,10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:8V ~ 14V
7逻辑电压7:1.4V,2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:3A,4A
5输入类型5:非反相
外壳:8-VDFN 裸露焊盘
封装:8-DFN(4x4)
料号:P4-13
包装: 750个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL2111BR4Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL2111BR4Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL2111BR4Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL2111BR4Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: ISL2110AR4Z
品牌: Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DFN
参数: 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.22V,2.08V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):95 V 上升/下降时间(典型值):35ns,30ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A,2.4A *5输入类型*5:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):75 V 上升/下降时间(典型值):10ns,10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:3.7V,7.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:8V ~ 14V
7逻辑电压7:3.7V,7.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:3A,4A
5输入类型5:非反相
外壳:12-VFDFN 裸露焊盘
封装:12-DFN(4x4)
料号:P4-14
包装: 750个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL2110AR4Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL2110AR4Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL2110AR4Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL2110AR4Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 停产
型号: ISL6622IBZ
品牌: Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数: 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.22V,2.08V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):95 V 上升/下降时间(典型值):35ns,30ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A,2.4A *5输入类型*5:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):75 V 上升/下降时间(典型值):10ns,10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:3.7V,7.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:同步
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:6.8V ~ 13.2V
7逻辑电压7:-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:1.25A,2A
5输入类型5:非反相
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装:8-SOIC
料号:P4-15
包装: 980个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6622IBZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6622IBZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6622IBZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6622IBZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 停产
型号: ISL6614ACRZ-T
品牌: Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
参数: 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.22V,2.08V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):95 V 上升/下降时间(典型值):35ns,30ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A,2.4A *5输入类型*5:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):75 V 上升/下降时间(典型值):10ns,10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:3.7V,7.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:同步
3驱动器数3:4
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:10.8V ~ 13.2V
7逻辑电压7:-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:1.25A,2A
5输入类型5:非反相
外壳:16-VQFN 裸露焊盘
封装:16-QFN(4x4)
料号:P4-16
包装: 6000个/ 卷带(TR)
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6614ACRZ-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6614ACRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6614ACRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6614ACRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: ISL6614CRZ-T
品牌: Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
参数: 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.22V,2.08V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):95 V 上升/下降时间(典型值):35ns,30ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A,2.4A *5输入类型*5:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):75 V 上升/下降时间(典型值):10ns,10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:3.7V,7.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:同步
3驱动器数3:4
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:10.8V ~ 13.2V
7逻辑电压7:-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:1.25A,2A
5输入类型5:非反相
外壳:16-VQFN 裸露焊盘
封装:16-QFN(4x4)
料号:P4-17
包装: 6000个/ 卷带(TR)
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6614CRZ-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6614CRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6614CRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6614CRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 停产
型号: EL7154CSZ-T13
品牌: Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
参数: 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.22V,2.08V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):95 V 上升/下降时间(典型值):35ns,30ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A,2.4A *5输入类型*5:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):75 V 上升/下降时间(典型值):10ns,10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:3.7V,7.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.6V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):4ns,4ns
1驱动配置1:高压侧或低压侧
2通道类型2:同步
3驱动器数3:2
4栅极类型4:IGBT,N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 16V
7逻辑电压7:0.6V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:4A,4A
5输入类型5:非反相
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装:8-SOIC
料号:P4-18
包装: 2500个/ 卷带(TR)
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EL7154CSZ-T13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7154CSZ-T13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7154CSZ-T13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7154CSZ-T13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 停产
型号: EL7202CN
品牌: Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
参数: 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.22V,2.08V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):95 V 上升/下降时间(典型值):35ns,30ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A,2.4A *5输入类型*5:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):75 V 上升/下降时间(典型值):10ns,10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:3.7V,7.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.6V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):4ns,4ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):7.5ns,10ns
1驱动配置1:低端
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 15V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:2A,2A
5输入类型5:非反相
外壳:8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装:8-PDIP
料号:P4-19
包装: 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EL7202CN' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7202CN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7202CN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7202CN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 停产
型号: ISL6611ACRZ
品牌: Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
参数: 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):22 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.22V,2.08V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):20ns,20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):13.5ns,13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值(自举):95 V 上升/下降时间(典型值):35ns,30ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A,2.4A *5输入类型*5:反相,非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):75 V 上升/下降时间(典型值):10ns,10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:3.7V,7.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V 上升/下降时间(典型值):9ns,7.5ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):26ns,18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.6V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):4ns,4ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):7.5ns,10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-,4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):36 V 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:同步
3驱动器数3:4
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 5.5V
7逻辑电压7:0.8V,2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:-,4A
5输入类型5:非反相
外壳:16-VQFN 裸露焊盘
封装:16-QFN(4x4)
料号:P4-20
包装: 75个/ 管件
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6611ACRZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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