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元器件型号：2486 件
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： IXXN110N65B4H1
品牌： IXYS IXYS Littelfuse(力特)
描述： IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装
配置：单路
电流 - 集电极（ic）（最大值）：215A
功率 - 最大值：750W
输入：标准
ntc 热敏电阻：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-1
包装：
10+:￥202.3800
750+:￥193.9475
1500+:￥180.4555
3000+:￥179.6123
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXXN110N65B4H1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXXN110N65B4H1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXXN110N65B4H1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXXN110N65B4H1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： IXDN75N120
品牌： IXYS IXYS Littelfuse(力特)
描述： IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装
配置：单路
电流 - 集电极（ic）（最大值）：150A
功率 - 最大值：660W
输入：标准
ntc 热敏电阻：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-2
包装：
10+:￥202.3800
750+:￥193.9475
1500+:￥180.4555
3000+:￥179.6123
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDN75N120' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN75N120' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN75N120' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN75N120' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APT75GP120JDQ3
品牌： Microsemi Corporation Microsemi 美高森美
描述： IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装
配置：单路
电流 - 集电极（ic）（最大值）：128A
功率 - 最大值：543W
输入：标准
ntc 热敏电阻：无
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-3
包装：
10+:￥202.3800
750+:￥193.9475
1500+:￥180.4555
3000+:￥179.6123
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT75GP120JDQ3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microsemi Corporation' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT75GP120JDQ3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT75GP120JDQ3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT75GP120JDQ3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APT100GT120JRDQ4
品牌： Microsemi Corporation Microsemi 美高森美
描述： IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装
配置：单路
电流 - 集电极（ic）（最大值）：123A
功率 - 最大值：570W
输入：标准
ntc 热敏电阻：无
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-4
包装：
10+:￥202.3800
750+:￥193.9475
1500+:￥180.4555
3000+:￥179.6123
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT100GT120JRDQ4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microsemi Corporation' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT100GT120JRDQ4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT100GT120JRDQ4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT100GT120JRDQ4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APTGT600A60G
品牌： Microsemi Corporation Microsemi 美高森美
描述： IGBT MODULE 600V 700A 2300W SP6
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装
配置：半桥
电流 - 集电极（ic）（最大值）：700A
功率 - 最大值：2300W
输入：标准
ntc 热敏电阻：无
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG11-5
包装：
10+:￥202.3800
750+:￥193.9475
1500+:￥180.4555
3000+:￥179.6123
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT600A60G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microsemi Corporation' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT600A60G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT600A60G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT600A60G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： APTGT600U170D4G
品牌： Microsemi Corporation Microsemi 美高森美
描述： IGBT MODULE 1700V 1100A 2900W D4
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装
配置：单路
电流 - 集电极（ic）（最大值）：1100A
功率 - 最大值：2900W
输入：标准
ntc 热敏电阻：无
外壳：D4
封装：D4
料号：JTG11-6
包装：
10+:￥202.3800
750+:￥193.9475
1500+:￥180.4555
3000+:￥179.6123
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT600U170D4G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microsemi Corporation' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT600U170D4G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT600U170D4G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGT600U170D4G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGL475A120D3G
品牌： Microsemi Corporation Microsemi 美高森美
描述： IGBT MODULE 1200V 610A 2080W D3
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装
配置：半桥
电流 - 集电极（ic）（最大值）：610A
功率 - 最大值：2080W
输入：标准
ntc 热敏电阻：无
外壳：D-3 模块
封装：D3
料号：JTG11-7
包装：
10+:￥202.3800
750+:￥193.9475
1500+:￥180.4555
3000+:￥179.6123
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGL475A120D3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microsemi Corporation' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL475A120D3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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状态： 在售
型号： STGE200NB60S
品牌： STMicroelectronics ST 意法半导体
描述： IGBT MOD 600V 200A 600W ISOTOP
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装
配置：单路
电流 - 集电极（ic）（最大值）：200A
功率 - 最大值：600W
输入：标准
ntc 热敏电阻：无
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP
料号：JTG11-8
包装：
10+:￥202.3800
750+:￥193.9475
1500+:￥180.4555
3000+:￥179.6123
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STGE200NB60S' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'STMicroelectronics' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STGE200NB60S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STGE200NB60S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STGE200NB60S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： IXYN82N120C3H1
品牌： IXYS IXYS Littelfuse(力特)
描述： IGBT MOD 1200V 105A 500W SOT227B
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:105A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装
配置：单路
电流 - 集电极（ic）（最大值）：105A
功率 - 最大值：500W
输入：标准
ntc 热敏电阻：无
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：JTG11-9
包装：
10+:￥202.3800
750+:￥193.9475
1500+:￥180.4555
3000+:￥179.6123
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXYN82N120C3H1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXYN82N120C3H1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXYN82N120C3H1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXYN82N120C3H1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MG06150S-BN4MM
品牌： Littelfuse Inc. Littelfuse 力特保险丝
描述： IGBT MODULE 600V 150A 500W S3
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:105A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:225A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装
配置：半桥
电流 - 集电极（ic）（最大值）：225A
功率 - 最大值：500W
输入：标准
ntc 热敏电阻：无
外壳：S-3 模块
封装：S3
料号：JTG11-10
包装：
10+:￥202.3800
750+:￥193.9475
1500+:￥180.4555
3000+:￥179.6123
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MG06150S-BN4MM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Littelfuse Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG06150S-BN4MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MG06150S-BN4MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： APTGF75H120TG
品牌： Microsemi Corporation Microsemi 美高森美
描述： IGBT MODULE 1200V 100A 500W SP4
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:105A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:225A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装
配置：全桥反相器
电流 - 集电极（ic）（最大值）：100A
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输入：标准
ntc 热敏电阻：是
外壳：SP4
封装：SP4
料号：JTG11-11
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGF75H120TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTGL475U120DAG
品牌： Microsemi Corporation Microsemi 美高森美
描述： IGBT MODULE 1200V 610A 2307W SP6
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:105A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:225A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装
配置：单路
电流 - 集电极（ic）（最大值）：610A
功率 - 最大值：2307W
输入：标准
ntc 热敏电阻：无
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG11-12
包装：
10+:￥202.3800
750+:￥193.9475
1500+:￥180.4555
3000+:￥179.6123
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGL475U120DAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MG12450WB-BN2MM
品牌： Littelfuse Inc. Littelfuse 力特保险丝
描述： IGBT MODULE 1200V 600A 1950W WB
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:105A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:225A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600A *功率 - 最大值:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，450A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装
配置：半桥
电流 - 集电极（ic）（最大值）：600A
功率 - 最大值：1950W
输入：标准
ntc 热敏电阻：是
外壳：模块
封装：WB
料号：JTG11-13
包装：
10+:￥202.3800
750+:￥193.9475
1500+:￥180.4555
3000+:￥179.6123
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MG12450WB-BN2MM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Littelfuse Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： APT200GN60J
品牌： Microsemi Corporation Microsemi 美高森美
描述： IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:105A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:225A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600A *功率 - 最大值:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，450A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:283A *功率 - 最大值:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装
配置：单路
电流 - 集电极（ic）（最大值）：283A
功率 - 最大值：682W
输入：标准
ntc 热敏电阻：无
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-14
包装：
10+:￥202.3800
750+:￥193.9475
1500+:￥180.4555
3000+:￥179.6123
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状态： 在售
型号： APT75GP120J
品牌： Microsemi Corporation Microsemi 美高森美
描述： IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:105A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:225A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600A *功率 - 最大值:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，450A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:283A *功率 - 最大值:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装
配置：单路
电流 - 集电极（ic）（最大值）：128A
功率 - 最大值：543W
输入：标准
ntc 热敏电阻：无
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-15
包装：
10+:￥202.3800
750+:￥193.9475
1500+:￥180.4555
3000+:￥179.6123
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海外现货:0
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总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APT100GT120JU2
品牌： Microsemi Corporation Microsemi 美高森美
描述： IGBT MOD 1200V 140A 480W SOT227
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:105A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:225A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600A *功率 - 最大值:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，450A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:283A *功率 - 最大值:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A *功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装
配置：单路
电流 - 集电极（ic）（最大值）：140A
功率 - 最大值：480W
输入：标准
ntc 热敏电阻：无
外壳：ISOTOP
封装：SOT-227
料号：JTG11-16
包装：
10+:￥202.3800
750+:￥193.9475
1500+:￥180.4555
3000+:￥179.6123
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT100GT120JU2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microsemi Corporation' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： APTGT50X60T3G
品牌： Microsemi Corporation Microsemi 美高森美
描述： IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:105A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:225A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600A *功率 - 最大值:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，450A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:283A *功率 - 最大值:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A *功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装
配置：三相反相器
电流 - 集电极（ic）（最大值）：80A
功率 - 最大值：176W
输入：标准
ntc 热敏电阻：是
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG11-17
包装：
10+:￥202.3800
750+:￥193.9475
1500+:￥180.4555
3000+:￥179.6123
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGT50X60T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microsemi Corporation' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTGFQ25H120T2G
品牌： Microsemi Corporation Microsemi 美高森美
描述： IGBT 1200V 40A 227W MODULE
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:105A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:225A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600A *功率 - 最大值:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，450A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:283A *功率 - 最大值:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A *功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 型和场截止型 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:40A *功率 - 最大值:227W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.02nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度: 安装类型:通孔
配置：全桥
电流 - 集电极（ic）（最大值）：40A
功率 - 最大值：227W
输入：标准
ntc 热敏电阻：是
外壳：SP2
封装：SP2
料号：JTG11-18
包装： -
10+:￥202.3800
750+:￥193.9475
1500+:￥180.4555
3000+:￥179.6123
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTGFQ25H120T2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microsemi Corporation' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGFQ25H120T2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTGFQ25H120T2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： VS-GA250SA60S
品牌： Vishay Vishay 威世
描述： IGBT MOD 600V 400A 961W SOT227
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:105A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:225A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600A *功率 - 最大值:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，450A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:283A *功率 - 最大值:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A *功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 型和场截止型 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:40A *功率 - 最大值:227W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.02nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度: 安装类型:通孔 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:400A *功率 - 最大值:961W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.66V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.25nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装
配置：单路
电流 - 集电极（ic）（最大值）：400A
功率 - 最大值：961W
输入：标准
ntc 热敏电阻：无
外壳：SOT-227-4
封装：SOT-227
料号：JTG11-19
包装：
10+:￥202.3800
750+:￥193.9475
1500+:￥180.4555
3000+:￥179.6123
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-GA250SA60S' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-GA250SA60S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APT60GF120JRDQ3
品牌： Microsemi Corporation Microsemi 美高森美
描述： IGBT MOD 1200V 149A 625W ISOTOP
参数： igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:215A *功率 - 最大值:750W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，110A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.65nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:150A *功率 - 最大值:660W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.5nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.25mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:123A *功率 - 最大值:570W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:200µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.85nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:700A *功率 - 最大值:2300W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.8V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:750µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:49nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:1100A *功率 - 最大值:2900W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:51nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2080W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:200A *功率 - 最大值:600W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.6V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:500µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:1.56nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:105A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.2V @ 15V，82A 电流 - 集电极截止（最大值）:50µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:4060pF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:- *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:225A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.45V @ 15V，150A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:9.3nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:100A *功率 - 最大值:500W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.7V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:5.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:- 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:610A *功率 - 最大值:2307W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.2V @ 15V，400A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:24.6nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:600A *功率 - 最大值:1950W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.7V @ 15V，450A（标准） 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:32nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:283A *功率 - 最大值:682W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.85V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:25µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:14.1nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:PT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:128A *功率 - 最大值:543W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.04nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:140A *功率 - 最大值:480W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.2nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:沟槽型场截止 *配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:80A *功率 - 最大值:176W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:3.15nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT 型和场截止型 *配置:全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:40A *功率 - 最大值:227W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:2.02nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:是 工作温度: 安装类型:通孔 igbt 类型:- *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:400A *功率 - 最大值:961W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:1.66V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?vce 时的输入电容（cies）:16.25nF @ 30V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装 igbt 类型:NPT *配置:单路 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V *电流 - 集电极（ic）（最大值）:149A *功率 - 最大值:625W 不同?vge，ic 时的?vce（on）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:350µA 不同?vce 时的输入电容（cies）:7.08nF @ 25V *输入:标准 *ntc 热敏电阻:无 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:底座安装
配置：单路
电流 - 集电极（ic）（最大值）：149A
功率 - 最大值：625W
输入：标准
ntc 热敏电阻：无
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：JTG11-20
包装：
10+:￥202.3800
750+:￥193.9475
1500+:￥180.4555
3000+:￥179.6123
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