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型号： SIZ200DT-T1-GE3复制
状态： 在售 修改
品牌： Vishay/威世复制
封装：8-PowerPair®（3.3x3.3）
外壳：8-PowerWDFN
描述： MOSFET N-CH DUAL 30V
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Fet功能：标准
漏源极电压(vdss)：30V
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最大功率值：4.3W（Ta），33W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
丝印：(请登录)
料号：10413634
量大可议价
起订量:10 修改
包装量: 修改
个
咨询客服
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型号： SIZ240DT-T1-GE3复制
状态： 在售 修改
品牌： Vishay/威世复制
封装：8-PowerPair®（3.3x3.3）
外壳：8-PowerWDFN
描述： MOSFET DUAL N-CH 40V POWERPAIR 3
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Fet类型：2 N-通道（双）
Fet功能：标准
漏源极电压(vdss)：40V
电流-连续漏极(id)：17.2A（Ta），48A（Tc），16.9A（Ta），47A（Tc）
最大功率值：4.3W（Ta），33W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
丝印：(请登录)
料号：10413569
量大可议价
起订量:10 修改
包装量: 修改
个
咨询客服
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型号： SIZ260DT-T1-GE3复制
状态： 在售 修改
品牌： Vishay/威世复制
封装：8-PowerPair®（3.3x3.3）
外壳：8-PowerWDFN
描述： MOSFET DUAL N-CH 80V POWERPAIR 3
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Fet类型：2 N-通道（双）
Fet功能：标准
漏源极电压(vdss)：80V
电流-连续漏极(id)：8.9A（Ta），24.7A（Tc），8.9A（Ta），24.6A（Tc）
最大功率值：4.3W（Ta），33W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
丝印：(请登录)
料号：10413566
量大可议价
起订量:10 修改
包装量: 修改
个
咨询客服
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型号： SIZ250DT-T1-GE3复制
状态： 在售 修改
品牌： Vishay/威世复制
封装：8-PowerPair®（3.3x3.3）
外壳：8-PowerWDFN
描述： MOSFET DUAL N-CH 60-V POWERPAIR
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Fet功能：标准
漏源极电压(vdss)：60V
电流-连续漏极(id)：14A（Ta），38A（Tc）
最大功率值：4.3W（Ta），33W（Tc）
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量大可议价
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包装量: 修改
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状态： 在售 修改
品牌： Vishay/威世复制
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描述： DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFE
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丝印：(请登录)
料号：10413902
量大可议价
起订量:10 修改
包装量: 修改
个
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