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Analog Devices Inc./Maxim Integrated 亚德诺(美信)

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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：NVSRAM
存储容量：16Kb（2K x 8）
电压 - 电源：4.75V ~ 5.25V
丝印：
外壳：
封装：24-EDIP
料号：C1-5706
包装： 14个/ 管件
参考价格:￥133.701600
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可供数量:咨询
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：EEPROM
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电压 - 电源：3V ~ 3.6V
丝印：
外壳：
封装：6-TSOC
料号：C1-15519
包装： 120个/ 管件
参考价格:￥133.701600
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可供数量:咨询
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替代：
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丝印：
外壳：
封装：24-EDIP
料号：C1-15557
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替代：
存储器类型：非易失
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丝印：
外壳：
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料号：C1-15571
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：NVSRAM
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丝印：
外壳：
封装：28-EDIP
料号：C1-15610
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参考价格:￥133.701600
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替代：
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丝印：
外壳：
封装：28-EDIP
料号：C1-15618
包装： 12个/ 管件
参考价格:￥133.701600
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可供数量:咨询
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描述： IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：NVSRAM
存储容量：256Kb（32K x 8）
电压 - 电源：4.5V ~ 5.5V
丝印：
外壳：
封装：34-PowerCap 模块
料号：C1-15625
包装： 40个/ 托盘
参考价格:￥133.701600
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可供数量:咨询
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品牌： Analog Devices Inc./Maxim Integrated复制 ADI 亚德诺(美信)
描述： IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
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类别： 存储器
替代：
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存储器格式：NVSRAM
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料号：C1-15629
包装： 11个/ 管件
参考价格:￥133.701600
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现货库存:0
可供数量:咨询
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类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：NVSRAM
存储容量：1Mb（128K x 8）
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丝印：
外壳：
封装：32-EDIP
料号：C1-15651
包装： 11个/ 管件
参考价格:￥133.701600
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可供数量:咨询
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类别： 存储器
替代：
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丝印：
外壳：
封装：32-EDIP
料号：C1-15659
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可供数量:咨询
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状态： 在售
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品牌： Analog Devices Inc./Maxim Integrated复制 ADI 亚德诺(美信)
描述： IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
参数： *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:16Kb（2K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:150ns 访问时间:150 ns *电压 - 电源:4.75V ~ 5.25V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:16Kb（2K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:200ns 访问时间:200 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:16Kb（2K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:200ns 访问时间:200 ns *电压 - 电源:4.75V ~ 5.25V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:EEPROM 技术:EEPROM *存储容量:896b（112 x 8） 存储器接口:1-Wire® 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:2 µs *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:16Kb（2K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:120ns 访问时间:120 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:16Kb（2K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:200ns 访问时间:200 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:64Kb（8K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:85ns 访问时间:85 ns *电压 - 电源:4.75V ~ 5.25V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:64Kb（8K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:200ns 访问时间:200 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:64Kb（8K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:150ns 访问时间:150 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:256Kb（32K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:100ns 访问时间:100 ns *电压 - 电源:4.75V ~ 5.25V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:256Kb（32K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:120ns 访问时间:120 ns *电压 - 电源:4.75V ~ 5.25V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:256Kb（32K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70 ns *电压 - 电源:4.75V ~ 5.25V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:256Kb（32K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:256Kb（32K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:1Mb（128K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:150ns 访问时间:150 ns *电压 - 电源:3V ~ 3.6V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:1Mb（128K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:1Mb（128K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:100ns 访问时间:100 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:4Mb（512K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:4Mb（512K x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 标签: *存储器类型:非易失 *存储器格式:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *存储容量:16Mb（2M x 8） 存储器接口:并联 时钟频率:- 写周期时间 - 字，页:70ns 访问时间:70 ns *电压 - 电源:4.5V ~ 5.5V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:通孔 标签:
类别： 存储器
替代：
存储器类型：非易失
存储器格式：NVSRAM
存储容量：16Mb（2M x 8）
电压 - 电源：4.5V ~ 5.5V
丝印：
外壳：
封装：36-EDIP
料号：C1-15661
包装： 9个/ 管件
参考价格:￥133.701600
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DS1270Y-70#' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
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