TSC5804DCP ROG

TSC5302DCP ROGTSC/台湾半导体TO-252，（D-Pak）13307

TRANSISTOR, NPN, 400V, 2A, 8A/A

1晶体管类型： 3电流-集电极(ic)(最大值)： 2电压-集射极击穿(最大值)： 6电流-集电极截止(最大值)： 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7： 5功率-最大值： 4频率-跃迁：

MJD31CUQ-13DIODES/美台TO-252，（D-Pak）12168

PWR MID PERF TRANSISTOR TO252

1晶体管类型： 3电流-集电极(ic)(最大值)： 2电压-集射极击穿(最大值)： 6电流-集电极截止(最大值)： 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7： 5功率-最大值： 4频率-跃迁：

MJD32CUQ-13DIODES/美台TO-252，（D-Pak）12169

PWR MID PERF TRANSISTOR TO252

1晶体管类型： 3电流-集电极(ic)(最大值)： 2电压-集射极击穿(最大值)： 6电流-集电极截止(最大值)： 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7： 5功率-最大值： 4频率-跃迁：

ZXT951KQTCDIODES/美台TO-252，（D-Pak）12184

PWR LOW SAT TRANSISTOR TO252

1晶体管类型： 3电流-集电极(ic)(最大值)： 2电压-集射极击穿(最大值)： 6电流-集电极截止(最大值)： 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7： 5功率-最大值： 4频率-跃迁：

TSC5303DCP ROGTSC/台湾半导体TO-252，（D-Pak）13314

TRANSISTOR, NPN, 400V, 3A, 8A/A

1晶体管类型： 3电流-集电极(ic)(最大值)： 2电压-集射极击穿(最大值)： 6电流-集电极截止(最大值)： 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7： 5功率-最大值： 4频率-跃迁：

TSC5802DCP ROGTSC/台湾半导体TO-252，（D-Pak）13323

TRANSISTOR, NPN, 450V, 2.5A, 18A

1晶体管类型： 3电流-集电极(ic)(最大值)： 2电压-集射极击穿(最大值)： 6电流-集电极截止(最大值)： 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7： 5功率-最大值： 4频率-跃迁：

TSC5304EDCP ROGTSC/台湾半导体TO-252，（D-Pak）13327

TRANSISTOR, NPN, 400V, 4A, 8A/A

1晶体管类型： 3电流-集电极(ic)(最大值)： 2电压-集射极击穿(最大值)： 6电流-集电极截止(最大值)： 7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）7： 5功率-最大值： 4频率-跃迁：