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FQI27N25TUONSEMI/安森美I2PAK（TO-262）2157
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STI18NM60NST/意法半导体I2PAK（TO-262）4129
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STI200N6F3ST/意法半导体I2PAK（TO-262）4130
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1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
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STB5NK50Z-1ST/意法半导体I2PAK（TO-262）6053
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2漏源极电压(vdss)2：
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STI300N4F6ST/意法半导体I2PAK（TO-262）6222
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STI20N65M5ST/意法半导体I2PAK（TO-262）6266
MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK
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2漏源极电压(vdss)2：
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STI11NM80ST/意法半导体I2PAK（TO-262）6269
MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
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FQI4N20LTUONSEMI/安森美I2PAK（TO-262）10804
MOSFET N-CH 200V 3.8A I2PAK
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
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4Vgs(最大值)4：
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FQI4N20TUONSEMI/安森美I2PAK（TO-262）10805
MOSFET N-CH 200V 3.6A I2PAK
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
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FQI5P10TUONSEMI/安森美I2PAK（TO-262）10811
MOSFET P-CH 100V 4.5A I2PAK
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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