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IXTY4N60PIXYS/艾赛斯TO-2522009
MOSFET N-CH TO-252
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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IXTY10P15TIXYS/艾赛斯TO-2522232
MOSFET P-CH 150V 10A TO-252
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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IXTY32P05TIXYS/艾赛斯TO-2522233
MOSFET P-CH 50V 32A TO-252
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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IXTY15P15TIXYS/艾赛斯TO-2522273
MOSFET P-CH 150V 15A TO-252
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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IXTY26P10TIXYS/艾赛斯TO-2522274
MOSFET P-CH 100V 26A TO-252
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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IXTY48P05TIXYS/艾赛斯TO-2522275
MOSFET P-CH 50V 48A TO-252
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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IXTY18P10TIXYS/艾赛斯TO-2522335
MOSFET P-CH 100V 18A TO-252
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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FDD2670ONSEMI/安森美TO-2525017
MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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,_SC-63.jpg) |
SUD50P10-43L-GE3Vishay/威世TO-2525047
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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IXTY5N50PIXYS/艾赛斯TO-2525137
MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252AA
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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SUD35N10-26P-E3Vishay/威世TO-2525239
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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IXFY5N50P3IXYS/艾赛斯TO-2525468
MOSFET N-CH 500V 5A TO-252
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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