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BLM2305BeiLing/贝岭SOT23
53761
1Fet类型1：MOSFET P 通道，金属氧化物
2漏源极电压(vdss)2：8V
3电流-连续漏极(id)3：3.5A（Ta）
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：1.25W
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
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2N7002LT1GONSEMI/安森美SOT-23-3（TO-236）127
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
1Fet类型1：MOSFET P 通道，金属氧化物
2漏源极电压(vdss)2：8V
3电流-连续漏极(id)3：3.5A（Ta）
4Vgs(最大值)4：
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6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
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BSS84LT1GONSEMI/安森美SOT-23-3（TO-236）187
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23
1Fet类型1：MOSFET P 通道，金属氧化物
2漏源极电压(vdss)2：8V
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4Vgs(最大值)4：
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6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
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SI2301CDS-T1-GE3Vishay/威世SOT-23-3（TO-236）289
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
1Fet类型1：MOSFET P 通道，金属氧化物
2漏源极电压(vdss)2：8V
3电流-连续漏极(id)3：3.5A（Ta）
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：1.25W
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
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SI2301CDS-T1-E3Vishay/威世SOT-23-3（TO-236）298
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
1Fet类型1：MOSFET P 通道，金属氧化物
2漏源极电压(vdss)2：8V
3电流-连续漏极(id)3：3.5A（Ta）
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：1.25W
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
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NTR5198NLT1GONSEMI/安森美SOT-23-3（TO-236）310
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
1Fet类型1：MOSFET P 通道，金属氧化物
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5功率-最大值：1.25W
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NTR4101PT1GONSEMI/安森美SOT-23-3（TO-236）316
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
1Fet类型1：MOSFET P 通道，金属氧化物
2漏源极电压(vdss)2：8V
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4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：1.25W
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
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SI2302CDS-T1-E3Vishay/威世SOT-23-3（TO-236）322
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT-23
1Fet类型1：MOSFET P 通道，金属氧化物
2漏源极电压(vdss)2：8V
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5功率-最大值：1.25W
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
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NTR0202PLT1GONSEMI/安森美SOT-23-3（TO-236）331
MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3
1Fet类型1：MOSFET P 通道，金属氧化物
2漏源极电压(vdss)2：8V
3电流-连续漏极(id)3：3.5A（Ta）
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：1.25W
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
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