FQB25N33TM_F085

FDB029N06ONSEMI/安森美D²PAK2298

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

FDB14N30TMONSEMI/安森美D²PAK6511

MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IRFW630BTM_FP001ONSEMI/安森美D²PAK9499

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

FCB11N60FTMONSEMI/安森美D²PAK16124

MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

FDB5800_F085ONSEMI/安森美D²PAK18297

MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：