产品属性 | 属性值 |
---|---|
系列 | eGaN® |
Fet类型: | GaNFET N 通道,氮化镓 |
漏源极电压(vdss): | 40V |
电流-连续漏极(id): | 36A(Ta) |
Vgs(最大值): | |
功率-最大值: | - |
工作温度: | -40°C ~ 150°C(TJ) |
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