产品属性 | 属性值 |
---|---|
系列 | CoolMOS™ |
Fet类型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
漏源极电压(vdss): | 650V |
电流-连续漏极(id): | 6A(Tc) |
Vgs(最大值): | |
功率-最大值: | 62.5W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
同类热销产品 | ||
---|---|---|
![]() |
IPB65R420CFDInfineon/英飞凌PG-TO26325219
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263
|
![]() |
![]() |
IPB65R310CFDInfineon/英飞凌PG-TO26331925
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263
|
![]() |
![]() |
IPB65R190CFDInfineon/英飞凌PG-TO26333055
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263
|
![]() |
![]() |
IPB65R110CFDInfineon/英飞凌PG-TO26333175
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263
|
![]() |