| 产品属性 | 属性值 |
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| 系列 | - |
| Fet类型: | N 通道 |
| 漏源极电压(vdss): | 30V |
| 电流-连续漏极(id): | 154mA(Tj) |
| Vgs(最大值): | ±10V |
| 功率-最大值: | 300mW(Tj) |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
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NTA7002NT1G-VBVBsemi/微碧SC75-3
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SC75-3;N—Channel沟道,20V;0.85A;RDS(ON)=270mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth=0.5~1V;
1Fet类型1:N 通道
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:154mA(Tj)
4Vgs(最大值)4:±10V
5功率-最大值:300mW(Tj)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
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NTA4151PT1HONSEMI/安森美SC-75,SOT-4166433
MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
1Fet类型1:N 通道
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:154mA(Tj)
4Vgs(最大值)4:±10V
5功率-最大值:300mW(Tj)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
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NTA4001NT1ONSEMI/安森美SC-75,SOT-41610459
MOSFET N-CH 20V 0.238A SOT-416
1Fet类型1:N 通道
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:154mA(Tj)
4Vgs(最大值)4:±10V
5功率-最大值:300mW(Tj)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
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NTA4151PT1ONSEMI/安森美SC-75,SOT-41616460
MOSFET P-CH 20V 0.76A SOT-416
1Fet类型1:N 通道
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:154mA(Tj)
4Vgs(最大值)4:±10V
5功率-最大值:300mW(Tj)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
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NTA4153NT1ONSEMI/安森美SC-75,SOT-41616461
MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416
1Fet类型1:N 通道
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:154mA(Tj)
4Vgs(最大值)4:±10V
5功率-最大值:300mW(Tj)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
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NTA7002NT1ONSEMI/安森美SC-75,SOT-41616462
MOSFET N-CH 30V 0.154A SOT-416
1Fet类型1:N 通道
2漏源极电压(vdss)2:30V
3电流-连续漏极(id)3:154mA(Tj)
4Vgs(最大值)4:±10V
5功率-最大值:300mW(Tj)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
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