| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 系列 | HEXFET® |
| Fet类型: | N 通道 |
| 漏源极电压(vdss): | 20V |
| 电流-连续漏极(id): | 110A(Tc) |
| Vgs(最大值): | ±20V |
| 功率-最大值: | 3.1W(Ta),120W(Tc) |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 同类热销产品 | ||
|---|---|---|
|
IRF3711PBF-VBVBsemi/微碧TO220
57654
TO220;N—Channel沟道,20V;100A;RDS(ON)=4mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth=0.5~1.5V;
1Fet类型1:N 通道
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:110A(Tc)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:3.1W(Ta),120W(Tc)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|
|
IRF630ST/意法半导体TO-220AB34
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
1Fet类型1:N 通道
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:110A(Tc)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:3.1W(Ta),120W(Tc)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|
|
|
STP5NK100ZST/意法半导体TO-220AB71
MOSFET N-CH 1KV 3.5A TO-220
1Fet类型1:N 通道
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:110A(Tc)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:3.1W(Ta),120W(Tc)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|
|
|
STP80PF55ST/意法半导体TO-220AB75
MOSFET P-CH 55V 80A TO-220
1Fet类型1:N 通道
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:110A(Tc)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:3.1W(Ta),120W(Tc)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|
|
|
STP140NF75ST/意法半导体TO-220AB76
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220
1Fet类型1:N 通道
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:110A(Tc)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:3.1W(Ta),120W(Tc)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|
|
|
STP20NM60ST/意法半导体TO-220AB98
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
1Fet类型1:N 通道
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:110A(Tc)
4Vgs(最大值)4:±20V
5功率-最大值:3.1W(Ta),120W(Tc)
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|