产品属性 | 属性值 |
---|---|
系列 | 汽车级, AEC-Q101, QFET® |
Fet类型: | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
漏源极电压(vdss): | 200V |
电流-连续漏极(id): | 7.3A(Tc) |
Vgs(最大值): | |
功率-最大值: | 3.13W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
同类热销产品 | ||
---|---|---|
![]() |
2SK4065-DL-1EONSEMI/安森美TO-263-21615
MOSFET N-CH 75V 100A
|
![]() |
![]() |
2SK4066-DL-1EONSEMI/安森美TO-263-22385
MOSFET N-CH 60V 100A
|
![]() |
![]() |
2SJ661-DL-1EONSEMI/安森美TO-263-25366
MOSFET P-CH 60V 38A TO263-2
|
![]() |
![]() |
2SK3816-DL-1EONSEMI/安森美TO-263-27483
MOSFET N-CH 60V 40A TO263-2
|
![]() |
![]() |
2SK3820-DL-1EONSEMI/安森美TO-263-212417
MOSFET N-CH 100V 26A
|
![]() |
![]() |
2SK4177-DL-1EONSEMI/安森美TO-263-232501
MOSFET N-CH 1500V 2A TO263-2
|
![]() |