IPB65R310CFD

IPB65R660CFDInfineon/英飞凌PG-TO26322697

MOSFET N-CH 650V 6A TO263

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IPB65R420CFDInfineon/英飞凌PG-TO26325219

MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IPB65R190CFDInfineon/英飞凌PG-TO26333055

MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IPB65R110CFDInfineon/英飞凌PG-TO26333175

MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：