| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 系列 | NexFET™ |
| Fet类型: | N 通道 |
| 漏源极电压(vdss): | 12V |
| 电流-连续漏极(id): | 31A(Ta) |
| Vgs(最大值): | ±8V |
| 功率-最大值: | 1.65W(Ta) |
| 工作温度: | -55 to 150 |
| 同类热销产品 | ||
|---|---|---|
|
CSD25304W1015TTI/德州仪器6-DSBGA30939
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
1Fet类型1:
2漏源极电压(vdss)2:
3电流-连续漏极(id)3:
4Vgs(最大值)4:
5功率-最大值:
6工作温度:
|
|
|
CSD23203WTI/德州仪器6-DSBGA36676
MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
1Fet类型1:
2漏源极电压(vdss)2:
3电流-连续漏极(id)3:
4Vgs(最大值)4:
5功率-最大值:
6工作温度:
|
|
|
CSD25304W1015TI/德州仪器6-DSBGA36707
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
1Fet类型1:
2漏源极电压(vdss)2:
3电流-连续漏极(id)3:
4Vgs(最大值)4:
5功率-最大值:
6工作温度:
|
|
|
CSD23203WTTI/德州仪器6-DSBGA38072
MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
1Fet类型1:
2漏源极电压(vdss)2:
3电流-连续漏极(id)3:
4Vgs(最大值)4:
5功率-最大值:
6工作温度:
|
|