GP1M018A020PG

FCU5N60TUONSEMI/安森美I-PAK2076

MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

TK8Q60W,S1VQTOSHIBA/东芝I-PAK2087

MOSFET N CH 600V 8A IPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

TK12Q60W,S1VQTOSHIBA/东芝I-PAK2343

MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

TK10Q60W,S1VQTOSHIBA/东芝I-PAK2426

MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IRLU3802PBFInfineon/英飞凌I-PAK2556

MOSFET N-CH 12V 84A I-PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

AUIRLU024ZInfineon/英飞凌I-PAK2674

MOSFET N-CH 55V 16A IPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IRLU3103PBFInfineon/英飞凌I-PAK2842

MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

AUIRFU4292Infineon/英飞凌I-PAK2890

MOSFET N CH 250V 9.3A IPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

AUIRFU8401Infineon/英飞凌I-PAK2920

MOSFET N-CH 40V 100A IPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

AUIRLU2905Infineon/英飞凌I-PAK2931

MOSFET N-CH 55V 42A IPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

AUIRFU8403Infineon/英飞凌I-PAK2966

MOSFET N-CH 40V 100A IPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

STD60NH03L-1ST/意法半导体I-PAK3175

MOSFET N-CH 30V 60A I-PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：