WPMD2013

NTZS3151PT1GONSEMI/安森美SOT-563424

MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

NTZS3151PT5GONSEMI/安森美SOT-56317667

MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

CMLDM8120G TRCentral/中环SOT-56330874

MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

DMP2104V-7DIODES/美台SOT-56331052

MOSFET P-CH 20V 2.1A SOT563

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

CMLDM8120 TRCentral/中环SOT-56332185

MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

CMLDM7120G TRCentral/中环SOT-56332272

MOSFET N-CH 20V 1A SOT563

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

WCM2007WILLSEMI/韦尔SOT-56340530

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

WNMD2154WILLSEMI/韦尔SOT-56340585

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

WNMD6003WILLSEMI/韦尔SOT-56340609

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

2N7002VGPCHENMKO台湾力勤SOT-56340890

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

2SK3541VGPCHENMKO台湾力勤SOT-56340892

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

CHM1024VGPCHENMKO台湾力勤SOT-56340893

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：