RU12150Q

STW32NM50NST/意法半导体TO-24799

MOSFET N CH 500V 22A TO-247

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

STW6N120K3ST/意法半导体TO-247101

MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

STW56N60M2ST/意法半导体TO-247110

MOSFET N-CH 600V 52A TO247

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

STW45N65M5ST/意法半导体TO-247112

MOSFET N-CH 650V 35A TO247

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

STW40N95K5ST/意法半导体TO-247120

MOSFET N-CH 950V 38A TO247

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

STW12N120K5ST/意法半导体TO-247121

MOSFET N-CH 1200V 12A TO247

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

STW60NM50NST/意法半导体TO-247122

MOSFET N CH 500V 68A TO-247

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

APT80SM120BMicrochip/微芯TO-247609

POWER MOSFET - SIC

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXTJ6N150IXYS/艾赛斯TO-2471014

MOSFET N-CH 1500V 3A ISOTO-247

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXFH60N60XIXYS/艾赛斯TO-2471035

MOSFET N-CH 600V 60A TO247

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXFH94N30P3IXYS/艾赛斯TO-2471043

MOSFET N-CH 300V 94A TO-247

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXTH10N100D2IXYS/艾赛斯TO-2471054

MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：