RU1H35K

IXTU01N100IXYS/艾赛斯TO-2512097

MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXTU08N100PIXYS/艾赛斯TO-2512211

MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXTU05N100IXYS/艾赛斯TO-2512270

MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXTU06N120PIXYS/艾赛斯TO-2512500

MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXTU1R4N60PIXYS/艾赛斯TO-2515030

MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：