RU2050L

VP0300B-E3Vishay/威世-651

MOSFET P-CH 30V 0.32A TO-205

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

VQ1004PVishay/威世-676

MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

VQ1004P-E3Vishay/威世-677

MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

VQ1004P-2Vishay/威世-678

MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

HTNFET-DCHoneywell Microelectronics & Precision Sensors-716

MOSFET N-CH 55V 8-DIP

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

HTNFET-TCHoneywell Microelectronics & Precision Sensors-720

MOSFET N-CH 55V 4-PIN

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXTT75N20L2IXYS/艾赛斯-1076

MOSFET N-CH 200V 75A DPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXT-1-1N100S1IXYS/艾赛斯-1114

MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXKT70N60C5-TRLIXYS/艾赛斯-1285

MOSFET P-CH 600V 68A TO-268

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXFH80N30P3IXYS/艾赛斯-1848

MOSFET N-CH 300V 80A TO-247

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXT-1-1N100S1-TRIXYS/艾赛斯-1873

MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXFT80N30P3IXYS/艾赛斯-1889

MOSFET N-CH 300V 80A TO-268

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：