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ME40P03T

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制造商编号:ME40P03T复制

制造商名称:Greatest Idea Strategy复制

制造商封装:

商品类别:单通道MOS管

商品编号:1039-41887

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SELECT COLUMN_NAME as bt,column_comment as nr,SUBSTRING(COLUMN_COMMENT,2,1) as zss_px FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_COMMENT like '*%' ORDER by zss_px 系列
Fet类型: P
漏源极电压(vdss):
电流-连续漏极(id):
Vgs(最大值):
功率-最大值:
工作温度:
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