| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 系列 | |
| Fet类型: | N |
| 漏源极电压(vdss): | 30 |
| 电流-连续漏极(id): | 100 |
| Vgs(最大值): | |
| 功率-最大值: | 100 |
| 工作温度: |
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CEP83A3-VBVBsemi/微碧TO220
57697
TO220;N—Channel沟道,30V;120A;RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~2.5V;
1Fet类型1:N
2漏源极电压(vdss)2:30
3电流-连续漏极(id)3:100
4Vgs(最大值)4:
5功率-最大值:100
6工作温度:
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STP6N120K3ST/意法半导体TO-22097
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220
1Fet类型1:N
2漏源极电压(vdss)2:30
3电流-连续漏极(id)3:100
4Vgs(最大值)4:
5功率-最大值:100
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1Fet类型1:N
2漏源极电压(vdss)2:30
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IXFP16N60P3IXYS/艾赛斯TO-2201624
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1Fet类型1:N
2漏源极电压(vdss)2:30
3电流-连续漏极(id)3:100
4Vgs(最大值)4:
5功率-最大值:100
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1Fet类型1:N
2漏源极电压(vdss)2:30
3电流-连续漏极(id)3:100
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MOSFET N-CH 600V 30A TO220
1Fet类型1:N
2漏源极电压(vdss)2:30
3电流-连续漏极(id)3:100
4Vgs(最大值)4:
5功率-最大值:100
6工作温度:
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