TK4R4P06PL,RQ

STD12N60M2ST/意法半导体DPAK30059

MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

MCU80N03A-TPMCC/美微科DPAK45403

N-CHANNEL MOSFET, DPAK PACKAGE

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

TK560P60Y,RQTOSHIBA/东芝DPAK45513

MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

MSJU11N65-TPMCC/美微科DPAK45515

N-CHANNEL MOSFET, TO-252 PACKAGE

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

TK290P65Y,RQTOSHIBA/东芝DPAK45556

MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

STD80N3LLST/意法半导体DPAK46226

MOSFET

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

NVD3055-150T4G-VF01ONSEMI/安森美DPAK46227

MOSFET N-CH 60V 9A DPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

NVD5C684NLT4GONSEMI/安森美DPAK46228

MOSFET N-CHANNEL 60V 38A DPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

NVD5C464NT4GONSEMI/安森美DPAK46231

MOSFET N-CHANNEL 40V 59A DPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

STDV3055L104T4GONSEMI/安森美DPAK46234

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

NVD5C454NT4GONSEMI/安森美DPAK46250

T6 40V DPAK EXPANSION AND

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

STD140N6F7ST/意法半导体DPAK46254

N-CHANNEL 60 V, 0.0031 OHM TYP.,

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：