SQD10950E_GE3

IXTY08N50D2-TRLIXYS/艾赛斯TO-252AA45229

MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXTY1R6N50D2-TRLIXYS/艾赛斯TO-252AA45230

MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXFY26N30X3IXYS/艾赛斯TO-252AA45236

300V/26A ULTRA JUNCTION X3-CLASS

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXFY36N20X3IXYS/艾赛斯TO-252AA45237

200V/36A ULTRA JUNCTION X3-CLASS

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXFY30N25X3IXYS/艾赛斯TO-252AA45247

MOSFET N-CH 250V 30A TO252AA

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：