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SIDR610DP-T1-GE3

复制状态：在售

制造商编号：SIDR610DP-T1-GE3复制

制造商名称：Vishay/威世复制

制造商封装：PowerPAK® SO-8

商品类别：单通道MOS管

商品编号：1039-46084

商品描述：MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

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产品属性	属性值
SELECT COLUMN_NAME as bt,column_comment as nr,SUBSTRING(COLUMN_COMMENT,2,1) as zss_px FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_COMMENT like '*%' ORDER by zss_px	系列	TrenchFET®
Fet类型:	N 通道
漏源极电压(vdss):	200V
电流-连续漏极(id):	8.9A (Ta)，39.6A (Tc)
Vgs(最大值):	±20V
功率-最大值:	6.25W（Ta），125W（Tc）
工作温度:	-55°C ~ 150°C（TJ）

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