XP231N0201TR-G

BMS4007-1EONSEMI/安森美-2143

MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

NVB5404NT4GONSEMI/安森美-5419

MOSFET N-CH 40V 24A D2PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

NVA4001NT1GONSEMI/安森美-6394

MOSFET N-CH 20V SC75

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

NVA4153NT1GONSEMI/安森美-7927

MOSFET N-CH 20V 0.915A SC75

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

NTB85N03T4ONSEMI/安森美-10326

MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

NTB125N02RT4ONSEMI/安森美-10370

MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

NTD14N03RT4ONSEMI/安森美-10378

MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

SPD04N50C3TInfineon/英飞凌-13722

MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

R5016FNJTLROHM/罗姆-20086

MOSFET N-CH 500V 16A LPT

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

R6012FNJTLROHM/罗姆-20169

MOSFET N-CH 600V 12A LPT

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

R6015FNJTLROHM/罗姆-20184

MOSFET N-CH 600V 15A LPT

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

R6020FNJTLROHM/罗姆-20196

MOSFET N-CH 600V 20A LPT

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：