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NVBG020N120SC1ONSEMI/安森美D2PAK-746426
SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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C3M0120100JCree/WolfspeedD2PAK-747857
MOSFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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NTBG040N120SC1ONSEMI/安森美D2PAK-747920
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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NVBG040N120SC1ONSEMI/安森美D2PAK-747921
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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NTBG020N090SC1ONSEMI/安森美D2PAK-747942
SIC MOS D2PAK 7L 20MOHM
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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NTBG020N120SC1ONSEMI/安森美D2PAK-747950
SIC MOS D2PAK-7L 20MW 120
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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NVBGS6D5N15MCONSEMI/安森美D2PAK-750841
MOSFET N-CH 150V D2PAK-7
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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NTBG160N120SC1ONSEMI/安森美D2PAK-750853
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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NVBG160N120SC1ONSEMI/安森美D2PAK-750854
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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NTBG060N090SC1ONSEMI/安森美D2PAK-750861
MOSFET N-CH 900V D2PAK-7
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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NVBG060N090SC1ONSEMI/安森美D2PAK-750862
MOSFET N-CH SIC 900V D2PAK-7
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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NTBG080N120SC1ONSEMI/安森美D2PAK-750878
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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