| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 系列 | NexFET™ |
| Fet类型: | N 通道 |
| 漏源极电压(vdss): | 40V |
| 电流-连续漏极(id): | 194A(Ta) |
| Vgs(最大值): | ±20V |
| 功率-最大值: | 188W(Ta) |
| 工作温度: | -55 to 175 |
| 同类热销产品 | ||
|---|---|---|
|
CSD19506KTTTTI/德州仪器DDPAK/TO-263-31610
IC MOSFET N-CH 80V TO-220
1Fet类型1:
2漏源极电压(vdss)2:
3电流-连续漏极(id)3:
4Vgs(最大值)4:
5功率-最大值:
6工作温度:
|
|
|
CSD18535KTTTI/德州仪器DDPAK/TO-263-32104
MOSFET N-CH 60V 200A
1Fet类型1:
2漏源极电压(vdss)2:
3电流-连续漏极(id)3:
4Vgs(最大值)4:
5功率-最大值:
6工作温度:
|
|
|
CSD19535KTTTI/德州仪器DDPAK/TO-263-32141
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
1Fet类型1:
2漏源极电压(vdss)2:
3电流-连续漏极(id)3:
4Vgs(最大值)4:
5功率-最大值:
6工作温度:
|
|
|
CSD19505KTTTTI/德州仪器DDPAK/TO-263-32373
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK
1Fet类型1:
2漏源极电压(vdss)2:
3电流-连续漏极(id)3:
4Vgs(最大值)4:
5功率-最大值:
6工作温度:
|
|
|
CSD18536KTTTI/德州仪器DDPAK/TO-263-32425
MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
1Fet类型1:
2漏源极电压(vdss)2:
3电流-连续漏极(id)3:
4Vgs(最大值)4:
5功率-最大值:
6工作温度:
|
|