GP2M023A050N

FQA90N15ONSEMI/安森美TO-3PN1647

MOSFET N-CH 150V 90A TO3PN

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

FCA22N60NONSEMI/安森美TO-3PN1804

MOSFET N-CH 600V 22A TO3PN

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

FCA20N60ONSEMI/安森美TO-3PN1844

MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

FCA20N60_F109ONSEMI/安森美TO-3PN1845

MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

FQA160N08ONSEMI/安森美TO-3PN1891

MOSFET N-CH 80V 160A TO3PN

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

FCA47N60_F109ONSEMI/安森美TO-3PN1943

MOSFET N-CH 600V 47A TO-3P

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

GP1M020A060NGlobal Power Technologies GroupTO-3PN2132

MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IRFP150AONSEMI/安森美TO-3PN2415

MOSFET N-CH 100V 43A TO-3

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

FDA70N20ONSEMI/安森美TO-3PN6699

MOSFET N-CH 200V 70A TO3PN

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

FQA24N60ONSEMI/安森美TO-3PN6704

MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PN

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

GP2M009A090NGGlobal Power Technologies GroupTO-3PN7437

MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

GP1M010A080NGlobal Power Technologies GroupTO-3PN7468

MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：