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AOT1100L-VBVBsemi/微碧TO220
57257
TO220；N—Channel沟道,100V；100A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
1Fet类型1：N 通道
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：8A（Ta），130A（Tc）
4Vgs(最大值)4：±20V
5功率-最大值：2.1W（Ta），500W（Tc）
6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
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STP6N120K3ST/意法半导体TO-22097
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220
1Fet类型1：N 通道
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：8A（Ta），130A（Tc）
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5功率-最大值：2.1W（Ta），500W（Tc）
6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
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STP310N10F7ST/意法半导体TO-220104
MOSFET N CH 100V 180A TO-220
1Fet类型1：N 通道
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：8A（Ta），130A（Tc）
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5功率-最大值：2.1W（Ta），500W（Tc）
6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
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IXFP16N60P3IXYS/艾赛斯TO-2201624
MOSFET N-CH 600V 16A TO-220
1Fet类型1：N 通道
2漏源极电压(vdss)2：100V
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5功率-最大值：2.1W（Ta），500W（Tc）
6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
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TK20E60W,S1VXTOSHIBA/东芝TO-2201643
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
1Fet类型1：N 通道
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：8A（Ta），130A（Tc）
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6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
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IXFP30N60XIXYS/艾赛斯TO-2201667
MOSFET N-CH 600V 30A TO220
1Fet类型1：N 通道
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TK31E60W,S1VXTOSHIBA/东芝TO-2201828
MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220
1Fet类型1：N 通道
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：8A（Ta），130A（Tc）
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5功率-最大值：2.1W（Ta），500W（Tc）
6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
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FKP202SankenTO-2202060
MOSFET N-CH 200V 45A TO-220F
1Fet类型1：N 通道
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：8A（Ta），130A（Tc）
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5功率-最大值：2.1W（Ta），500W（Tc）
6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
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NP60N04MUK-S18-AYRenesas/瑞萨TO-2202062
MOSFET N-CH 40V 60A TO-220
1Fet类型1：N 通道
2漏源极电压(vdss)2：100V
3电流-连续漏极(id)3：8A（Ta），130A（Tc）
4Vgs(最大值)4：±20V
5功率-最大值：2.1W（Ta），500W（Tc）
6工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
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