BLP150N10-B

IXFA30N60XIXYS/艾赛斯TO-2631681

MOSFET N-CH 600V 30A TO-263

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXTA3N150HVIXYS/艾赛斯TO-2631878

MOSFET N-CH 1500V 3A TO-263

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXTA1N170DHVIXYS/艾赛斯TO-2631969

MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

NP109N055PUK-E1-AYRenesas/瑞萨TO-2632033

MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

SQM120N03-1M5L_GE3Vishay/威世TO-2632118

MOSFET N-CH 30V 120A TO-263

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

NP110N04PUG-E1-AYRenesas/瑞萨TO-2632120

MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

SQM120N06-3M5L_GE3Vishay/威世TO-2632200

MOSFET N-CH 60V 120A TO263

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

NP110N055PUK-E1-AYRenesas/瑞萨TO-2632336

MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

NP110N03PUG-E1-AYRenesas/瑞萨TO-2632365

MOSFET N-CH 30V MP-25ZP/TO-263

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

NP100P04PDG-E1-AYRenesas/瑞萨TO-2632423

MOSFET P-CH 40V 100A TO-263

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

NP100P06PDG-E1-AYRenesas/瑞萨TO-2632424

MOSFET P-CH 60V 100A TO-263

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

NP100P04PLG-E1-AYRenesas/瑞萨TO-2632441

MOSFET P-CH 40V 100A TO-263

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：