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BL11N40-WBeiLing/贝岭TO25153734
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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TK6Q60W-VBVBsemi/微碧TO25155213
N—Channel沟道,650V,7A,RDS(ON),700mΩ@10V,30Vgs(±V)；3.5Vth(V) 封装：TO251
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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SFT1445-TL-H-VBVBsemi/微碧TO25155267
N沟道,100V,15A,RDS(ON),115mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.41Vth(V)；TO251
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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IRLU3717PBF-VBVBsemi/微碧TO25155364
N沟道,30V,100A,RDS(ON),3.5mΩ@10V,4.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.76Vth(V)；TO251
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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AP9465AGJ-VBVBsemi/微碧TO25155447
N沟道,40V,50A,RDS(ON),11mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.6Vth(V)；TO251
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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AOI600A70-VBVBsemi/微碧TO25155614
TO251；N—Channel沟道,700V；8A；RDS(ON)=550mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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VBFB17R08SVBsemi/微碧TO25155615
TO251；N—Channel沟道,700V；8A；RDS(ON)=550mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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SiHU6N80E-VBVBsemi/微碧TO25155660
TO251；N—Channel沟道,800V；6A；RDS(ON)=850mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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VBFB18R06SVBsemi/微碧TO25155661
TO251；N—Channel沟道,800V；6A；RDS(ON)=850mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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SiHU4N80E-VBVBsemi/微碧TO25155662
TO251；N—Channel沟道,800V；5A；RDS(ON)=1100mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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VBFB18R05SVBsemi/微碧TO25155663
TO251；N—Channel沟道,800V；5A；RDS(ON)=1100mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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SiHU6N65E-VBVBsemi/微碧TO25155777
TO251；N—Channel沟道,650V；8A；RDS(ON)=550mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
5功率-最大值：
6工作温度：
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