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NTD4809N-1G-VB

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制造商编号:NTD4809N-1G-VB复制

制造商名称:VBsemi/微碧复制

制造商封装:

商品类别:单通道MOS管

商品编号:1039-55526

商品描述:N沟道,30V,70A,RDS(ON),6mΩ@10V,8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.92Vth(V);TO251

包装数量:4000

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产品属性 属性值
SELECT COLUMN_NAME as bt,column_comment as nr,SUBSTRING(COLUMN_COMMENT,2,1) as zss_px FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_COMMENT like '*%' ORDER by zss_px 系列
Fet类型: N沟道
漏源极电压(vdss): 30V
电流-连续漏极(id): 70A
Vgs(最大值):
功率-最大值:
工作温度:
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