SQD30N05-20L_GE3

IXTY1N80IXYS/艾赛斯TO-252AA2359

MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXTY01N80IXYS/艾赛斯TO-252AA5301

MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

SQD97N06-6M3L_GE3Vishay/威世TO-252AA5862

MOSFET N-CH 60V 50A TO252

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

SQD50N05-11L_GE3Vishay/威世TO-252AA5902

MOSFET N-CH 50V 50A TO252

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

FDD8770ONSEMI/安森美TO-252AA5918

MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

FDD8444ONSEMI/安森美TO-252AA7025

MOSFET N-CH 40V 145A TO252AA

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IXTY3N50PIXYS/艾赛斯TO-252AA7324

MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

SIHD3N50D-GE3Vishay/威世TO-252AA8235

MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

SUD45P04-16P-GE3Vishay/威世TO-252AA9487

MOSFET P-CH 40V 36A TO252

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

FDD8778ONSEMI/安森美TO-252AA9914

MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IRFR120_R4941ONSEMI/安森美TO-252AA10232

MOSFET N-CH 100V 8.4A TO-252AA

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

RFD14N05SMONSEMI/安森美TO-252AA10235

MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：