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RU1HE4DRui Jun semiconductorSOT22341410
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RU2HE2DRui Jun semiconductorSOT22341464
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RU30P5DRui Jun semiconductorSOT22341531
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RU60E5DRui Jun semiconductorSOT22341635
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RU70E4DRui Jun semiconductorSOT22341675
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BSP030-VBVBsemi/微碧SOT22354734
SOT223；N—Channel沟道,30V；7A；RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.5~1.5V；
1Fet类型1：
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FDT439N-VBVBsemi/微碧SOT22354735
SOT223；N—Channel沟道,30V；7A；RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.5~1.5V；
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
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IRLL3303TRPBF-VBVBsemi/微碧SOT22354736
SOT223；N—Channel沟道,30V；7A；RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.5~1.5V；
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
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NDT451AN-VBVBsemi/微碧SOT22354737
SOT223；N—Channel沟道,30V；7A；RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.5~1.5V；
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
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PMT21EN-VBVBsemi/微碧SOT22354738
SOT223；N—Channel沟道,30V；7A；RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.5~1.5V；
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
4Vgs(最大值)4：
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PMT29EN-VBVBsemi/微碧SOT22354739
SOT223；N—Channel沟道,30V；7A；RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.5~1.5V；
1Fet类型1：
2漏源极电压(vdss)2：
3电流-连续漏极(id)3：
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