GP2M002A060PG

FCU5N60TUONSEMI/安森美I-PAK2076

MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

TK8Q60W,S1VQTOSHIBA/东芝I-PAK2087

MOSFET N CH 600V 8A IPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

TK12Q60W,S1VQTOSHIBA/东芝I-PAK2343

MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

TK10Q60W,S1VQTOSHIBA/东芝I-PAK2426

MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IRLU3802PBFInfineon/英飞凌I-PAK2556

MOSFET N-CH 12V 84A I-PAK

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：