IPB037N06N3 G

IPB60R380C6Infineon/英飞凌PG-TO263-29600

MOSFET N-CH 600V 10.6A TO263

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IPB107N20N3 GInfineon/英飞凌PG-TO263-221547

MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IPB200N25N3 GInfineon/英飞凌PG-TO263-221582

MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IPB320N20N3 GInfineon/英飞凌PG-TO263-222062

MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：

IPB60R190C6Infineon/英飞凌PG-TO263-222130

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263

1Fet类型1： 2漏源极电压(vdss)2： 3电流-连续漏极(id)3： 4Vgs(最大值)4： 5功率-最大值： 6工作温度：