产品属性 | 属性值 |
---|---|
系列 | eGaN® |
Fet类型: | 3 N 沟道(半桥 + 同步自举) |
漏源极电压(vdss): | 100V |
电流-连续漏极(id): | 1.7A,500mA |
最大功率值: | - |
Fet功能: | GaNFET(氮化镓) |
工作温度: | -40°C ~ 150°C(TJ) |
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