| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 系列 | TrenchFET® |
| Fet类型: | 2 N-通道(双) |
| 漏源极电压(vdss): | 20V |
| 电流-连续漏极(id): | 25A |
| 最大功率值: | 23W |
| Fet功能: | 逻辑电平门 |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 同类热销产品 | ||
|---|---|---|
|
SI7232DN-T1-GE3-VBVBsemi/微碧DFN8(3X3)
4315
DFN8(3X3);2个N—Channel沟道,20V;25A;RDS(ON)=12mΩ@VGS=4.5V,VGS=8V;Vth=0.4~1V;
1Fet类型1:2 N-通道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:25A
4最大功率值4:23W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|
|
SI7216DN-T1-GE3Vishay/威世POWERPAK® 1212-8 DUAL160
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
1Fet类型1:2 N-通道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:25A
4最大功率值4:23W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|
|
SI7216DN-T1-E3Vishay/威世POWERPAK® 1212-8 DUAL161
MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8
1Fet类型1:2 N-通道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:25A
4最大功率值4:23W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|
|
SI7228DN-T1-GE3Vishay/威世POWERPAK® 1212-8 DUAL164
MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8
1Fet类型1:2 N-通道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:25A
4最大功率值4:23W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|
|
SI7905DN-T1-GE3Vishay/威世POWERPAK® 1212-8 DUAL186
MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8
1Fet类型1:2 N-通道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:25A
4最大功率值4:23W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|
|
SIS990DN-T1-GE3Vishay/威世POWERPAK® 1212-8 DUAL356
MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
1Fet类型1:2 N-通道(双)
5Fet功能5:逻辑电平门
2漏源极电压(vdss)2:20V
3电流-连续漏极(id)3:25A
4最大功率值4:23W
6工作温度6:-55°C ~ 150°C(TJ)
|
|