产品属性 | 属性值 |
---|---|
系列 | NexFET™ |
Fet类型: | 2 N 沟道(双)非对称型 |
漏源极电压(vdss): | 30V |
电流-连续漏极(id): | 20A |
最大功率值: | 6W |
Fet功能: | 逻辑电平门 |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
同类热销产品 | ||
---|---|---|
![]() |
CSD87312Q3ETI/德州仪器8-VSON(3.3X3.3)360
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
|
![]() |
![]() |
CSD85312Q3ETI/德州仪器8-VSON(3.3X3.3)489
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
|
![]() |
![]() |
CSD87333Q3DTI/德州仪器8-VSON(3.3X3.3)848
MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON
|
![]() |
![]() |
CSD87333Q3DTTI/德州仪器8-VSON(3.3X3.3)1020
MOSFET 2N-CH 30V 15A 8VSON
|
![]() |
![]() |
CSD87334Q3DTTI/德州仪器8-VSON(3.3X3.3)1130
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
|
![]() |